
MBRD660CTT4G ON Semiconductor
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2500+ | 21.88 грн |
5000+ | 21.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MBRD660CTT4G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MBRD660CTT4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 6 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252 (DPAK), Durchlassstoßstrom: 75A, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 900mV, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 60V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MBRD6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MBRD660CTT4G за ціною від 19.05 грн до 71.95 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MBRD660CTT4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MBRD660CTT4G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 60 V |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MBRD660CTT4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MBRD660CTT4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 97500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MBRD660CTT4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MBRD660CTT4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 97500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MBRD660CTT4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MBRD660CTT4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 531 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MBRD660CTT4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MBRD660CTT4G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Durchlassstoßstrom: 75A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 900mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 60V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MBRD6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 3294 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MBRD660CTT4G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 60 V |
на замовлення 4058 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MBRD660CTT4G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SMD; 60V; 3Ax2; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Case: DPAK Mounting: SMD Max. off-state voltage: 60V Load current: 3A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Max. load current: 6A Kind of package: reel; tape Max. forward voltage: 0.85V |
на замовлення 848 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MBRD660CTT4G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 16807 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MBRD660CTT4G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Durchlassstoßstrom: 75A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 900mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 60V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MBRD6 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 3294 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MBRD660CTT4G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SMD; 60V; 3Ax2; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Case: DPAK Mounting: SMD Max. off-state voltage: 60V Load current: 3A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Max. load current: 6A Kind of package: reel; tape Max. forward voltage: 0.85V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 848 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|