MBRD835LT4G
Код товару: 191911
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції MBRD835LT4G за ціною від 19.77 грн до 92.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MBRD835LT4G | onsemi |
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 510 mV @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.4 mA @ 35 V |
на замовлення 46953 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MBRD835LT4G | ON Semiconductor |
Diode Schottky 35V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MBRD835LT4G | ON Semiconductor |
Diode Schottky 35V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MBRD835LT4G | ON Semiconductor |
Diode Schottky 35V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MBRD835LT4G | ON Semiconductor |
Diode Schottky 35V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MBRD835LT4G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MBRD835LT4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 35 V, 8 A, Einfach, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), 510 mVtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Durchlassstoßstrom: 75A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 510mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MBRD8 productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 35V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 5928 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MBRD835LT4G | ON Semiconductor |
Diode Schottky 35V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 19000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MBRD835LT4G | ON Semiconductor |
Diode Schottky 35V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MBRD835LT4G | ON Semiconductor |
Diode Schottky 35V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 292 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MBRD835LT4G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MBRD835LT4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 35 V, 8 A, Einfach, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), 510 mVtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Durchlassstoßstrom: 75A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 510mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MBRD8 productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 35V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 5928 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MBRD835LT4G | ONSEMI |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SMD; 35V; 8A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Case: DPAK Mounting: SMD Max. off-state voltage: 35V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.41V Kind of package: reel; tape Max. load current: 16A |
на замовлення 2406 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MBRD835LT4G | ON Semiconductor |
Diode Schottky 35V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 292 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MBRD835LT4G | onsemi |
Schottky Diodes & Rectifiers 8A 35V Low Vf |
на замовлення 24790 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MBRD835LT4G | ON Semiconductor |
Diode Schottky 35V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 4186 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MBRD835LT4G | onsemi |
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 510 mV @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.4 mA @ 35 V |
на замовлення 47716 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| MBRD835LT4G | ON Semiconductor |
Діод Шотткі smd, Io, A = 8, Uзвор, В = 35, Uf (max), В = 0,51, If, А = 8, Тексп, °C = -65...+150, I, мкА @ Ur, В = 1400 @ 35,... Діоди Корпус: DPAK-3 Од. вим: шткількість в упаковці: 75 шт |
на замовлення 628 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| MBRD835LT4G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 510 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.4 mA @ 35 V
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 510 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.4 mA @ 35 V
на замовлення 46953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 22.64 грн |
| 5000+ | 20.16 грн |
| MBRD835LT4G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Diode Schottky 35V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Diode Schottky 35V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 26.72 грн |
| 5000+ | 22.91 грн |
| MBRD835LT4G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Diode Schottky 35V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Diode Schottky 35V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 26.72 грн |
| 5000+ | 22.91 грн |
| MBRD835LT4G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Diode Schottky 35V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Diode Schottky 35V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 27.16 грн |
| 5000+ | 23.29 грн |
| MBRD835LT4G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Diode Schottky 35V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Diode Schottky 35V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 27.26 грн |
| 5000+ | 23.37 грн |
| MBRD835LT4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBRD835LT4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 35 V, 8 A, Einfach, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), 510 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 75A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 510mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MBRD8
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 35V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - MBRD835LT4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 35 V, 8 A, Einfach, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), 510 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 75A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 510mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MBRD8
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 35V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 41.14 грн |
| 500+ | 30.74 грн |
| 1000+ | 25.90 грн |
| MBRD835LT4G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Diode Schottky 35V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Diode Schottky 35V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 19000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 41.32 грн |
| 3000+ | 32.79 грн |
| 5000+ | 31.61 грн |
| 8000+ | 30.32 грн |
| 10000+ | 27.94 грн |
| MBRD835LT4G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Diode Schottky 35V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Diode Schottky 35V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 841+ | 42.06 грн |
| 1000+ | 38.80 грн |
| MBRD835LT4G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Diode Schottky 35V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Diode Schottky 35V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 290+ | 48.81 грн |
| MBRD835LT4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBRD835LT4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 35 V, 8 A, Einfach, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), 510 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 75A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 510mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MBRD8
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 35V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - MBRD835LT4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 35 V, 8 A, Einfach, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), 510 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 75A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 510mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MBRD8
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 35V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 70.15 грн |
| 50+ | 43.07 грн |
| 100+ | 41.14 грн |
| 500+ | 30.74 грн |
| 1000+ | 25.90 грн |
| MBRD835LT4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SMD; 35V; 8A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DPAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 35V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.41V
Kind of package: reel; tape
Max. load current: 16A
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SMD; 35V; 8A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DPAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 35V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.41V
Kind of package: reel; tape
Max. load current: 16A
на замовлення 2406 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 73.22 грн |
| 10+ | 44.44 грн |
| 12+ | 35.90 грн |
| 50+ | 30.84 грн |
| MBRD835LT4G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Diode Schottky 35V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Diode Schottky 35V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 79.51 грн |
| 16+ | 49.29 грн |
| 25+ | 48.81 грн |
| 100+ | 37.97 грн |
| 250+ | 24.12 грн |
| MBRD835LT4G |
![]() |
Виробник: onsemi
Schottky Diodes & Rectifiers 8A 35V Low Vf
Schottky Diodes & Rectifiers 8A 35V Low Vf
на замовлення 24790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 83.58 грн |
| 10+ | 49.75 грн |
| 100+ | 33.27 грн |
| 500+ | 27.21 грн |
| 1000+ | 24.31 грн |
| 2500+ | 19.77 грн |
| MBRD835LT4G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Diode Schottky 35V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Diode Schottky 35V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 169+ | 83.82 грн |
| 274+ | 51.77 грн |
| 500+ | 49.50 грн |
| 1000+ | 47.19 грн |
| 2000+ | 35.19 грн |
| 2500+ | 27.80 грн |
| MBRD835LT4G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 510 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.4 mA @ 35 V
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 510 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.4 mA @ 35 V
на замовлення 47716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 92.99 грн |
| 10+ | 56.41 грн |
| 100+ | 37.27 грн |
| 500+ | 27.27 грн |
| 1000+ | 24.78 грн |
| MBRD835LT4G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Діод Шотткі smd, Io, A = 8, Uзвор, В = 35, Uf (max), В = 0,51, If, А = 8, Тексп, °C = -65...+150, I, мкА @ Ur, В = 1400 @ 35,... Діоди Корпус: DPAK-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 75 шт
Діод Шотткі smd, Io, A = 8, Uзвор, В = 35, Uf (max), В = 0,51, If, А = 8, Тексп, °C = -65...+150, I, мкА @ Ur, В = 1400 @ 35,... Діоди Корпус: DPAK-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 75 шт
на замовлення 628 шт:
термін постачання 3 дні (днів)





