MBRD835LT4G
Код товару: 191911
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції MBRD835LT4G за ціною від 22.19 грн до 106.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MBRD835LT4G | onsemi |
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 510 mV @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.4 mA @ 35 V |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MBRD835LT4G | ON Semiconductor |
Diode Schottky 35V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MBRD835LT4G | ON Semiconductor |
Diode Schottky 35V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MBRD835LT4G | ON Semiconductor |
Diode Schottky 35V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MBRD835LT4G | ON Semiconductor |
Diode Schottky 35V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MBRD835LT4G | ON Semiconductor |
Diode Schottky 35V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 19000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MBRD835LT4G | ON Semiconductor |
Diode Schottky 35V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MBRD835LT4G | ON Semiconductor |
Diode Schottky 35V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 292 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MBRD835LT4G | ON Semiconductor |
Diode Schottky 35V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 292 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MBRD835LT4G | ON Semiconductor |
Diode Schottky 35V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 4186 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MBRD835LT4G | ONSEMI |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SMD; 35V; 8A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Case: DPAK Mounting: SMD Max. off-state voltage: 35V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.41V Max. load current: 16A Kind of package: reel; tape |
на замовлення 1896 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MBRD835LT4G | onsemi |
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 510 mV @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.4 mA @ 35 V |
на замовлення 27130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MBRD835LT4G | onsemi |
Schottky Diodes & Rectifiers 8A 35V Low Vf |
на замовлення 28404 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MBRD835LT4G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MBRD835LT4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 35 V, 8 A, Einfach, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), 510 mVtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Durchlassstoßstrom: 75A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 510mV Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MBRD8 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 35V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 4834 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
MBRD835LT4G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MBRD835LT4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 35 V, 8 A, Einfach, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), 510 mVtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Durchlassstoßstrom: 75A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 510mV Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MBRD8 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 35V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 4834 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MBRD835LT4G | ON Semiconductor |
Діод Шотткі smd, Io, A = 8, Uзвор, В = 35, Uf (max), В = 0,51, If, А = 8, Тексп, °C = -65...+150, I, мкА @ Ur, В = 1400 @ 35,... Діоди Корпус: DPAK-3 Од. вим: шткількість в упаковці: 75 шт |
на замовлення 628 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| MBRD835LT4G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 510 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.4 mA @ 35 V
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 510 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.4 mA @ 35 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 25.87 грн |
| 5000+ | 23.03 грн |
| MBRD835LT4G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Diode Schottky 35V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Diode Schottky 35V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 27.67 грн |
| 5000+ | 23.73 грн |
| MBRD835LT4G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Diode Schottky 35V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Diode Schottky 35V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 27.67 грн |
| 5000+ | 23.73 грн |
| MBRD835LT4G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Diode Schottky 35V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Diode Schottky 35V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 28.13 грн |
| 5000+ | 24.12 грн |
| MBRD835LT4G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Diode Schottky 35V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Diode Schottky 35V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 28.23 грн |
| 5000+ | 24.20 грн |
| MBRD835LT4G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Diode Schottky 35V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Diode Schottky 35V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 19000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 42.79 грн |
| 3000+ | 33.96 грн |
| 5000+ | 32.73 грн |
| 8000+ | 31.40 грн |
| 10000+ | 28.94 грн |
| MBRD835LT4G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Diode Schottky 35V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Diode Schottky 35V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 841+ | 43.56 грн |
| 1000+ | 40.18 грн |
| MBRD835LT4G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Diode Schottky 35V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Diode Schottky 35V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 290+ | 50.55 грн |
| MBRD835LT4G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Diode Schottky 35V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Diode Schottky 35V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 82.34 грн |
| 16+ | 51.05 грн |
| 25+ | 50.55 грн |
| 100+ | 39.32 грн |
| 250+ | 24.98 грн |
| MBRD835LT4G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Diode Schottky 35V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Diode Schottky 35V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 169+ | 86.81 грн |
| 274+ | 53.61 грн |
| 500+ | 51.27 грн |
| 1000+ | 48.87 грн |
| 2000+ | 36.44 грн |
| 2500+ | 28.79 грн |
| MBRD835LT4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SMD; 35V; 8A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DPAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 35V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.41V
Max. load current: 16A
Kind of package: reel; tape
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SMD; 35V; 8A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DPAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 35V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.41V
Max. load current: 16A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1896 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 92.35 грн |
| 8+ | 55.53 грн |
| 10+ | 47.38 грн |
| 29+ | 33.88 грн |
| 50+ | 33.79 грн |
| 79+ | 32.01 грн |
| 100+ | 30.82 грн |
| MBRD835LT4G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 510 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.4 mA @ 35 V
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 510 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.4 mA @ 35 V
на замовлення 27130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 98.39 грн |
| 10+ | 59.68 грн |
| 50+ | 44.38 грн |
| 100+ | 37.00 грн |
| 500+ | 28.85 грн |
| MBRD835LT4G |
![]() |
Виробник: onsemi
Schottky Diodes & Rectifiers 8A 35V Low Vf
Schottky Diodes & Rectifiers 8A 35V Low Vf
на замовлення 28404 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 106.21 грн |
| 10+ | 49.23 грн |
| 100+ | 37.69 грн |
| 500+ | 29.72 грн |
| 1000+ | 29.27 грн |
| 2500+ | 24.00 грн |
| 5000+ | 22.19 грн |
| MBRD835LT4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBRD835LT4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 35 V, 8 A, Einfach, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), 510 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 75A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 510mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MBRD8
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 35V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - MBRD835LT4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 35 V, 8 A, Einfach, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), 510 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 75A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 510mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MBRD8
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 35V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MBRD835LT4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBRD835LT4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 35 V, 8 A, Einfach, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), 510 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 75A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 510mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MBRD8
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 35V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - MBRD835LT4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 35 V, 8 A, Einfach, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), 510 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 75A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 510mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MBRD8
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 35V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MBRD835LT4G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Діод Шотткі smd, Io, A = 8, Uзвор, В = 35, Uf (max), В = 0,51, If, А = 8, Тексп, °C = -65...+150, I, мкА @ Ur, В = 1400 @ 35,... Діоди Корпус: DPAK-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 75 шт
Діод Шотткі smd, Io, A = 8, Uзвор, В = 35, Uf (max), В = 0,51, If, А = 8, Тексп, °C = -65...+150, I, мкА @ Ur, В = 1400 @ 35,... Діоди Корпус: DPAK-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 75 шт
на замовлення 628 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)





