
MBRD835LT4G ON Semiconductor
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2500+ | 21.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MBRD835LT4G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MBRD835LT4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 35 V, 8 A, Einfach, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), 510 mV, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252 (DPAK), Durchlassstoßstrom: 75A, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 510mV, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 35V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MBRD8, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MBRD835LT4G за ціною від 19.41 грн до 83.58 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MBRD835LT4G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 510 mV @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.4 mA @ 35 V |
на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MBRD835LT4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MBRD835LT4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 107500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MBRD835LT4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MBRD835LT4G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Durchlassstoßstrom: 75A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 510mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 35V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MBRD8 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MBRD835LT4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MBRD835LT4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 107500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MBRD835LT4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MBRD835LT4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 82500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MBRD835LT4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MBRD835LT4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MBRD835LT4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MBRD835LT4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MBRD835LT4G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Durchlassstoßstrom: 75A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 510mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 35V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MBRD8 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 3100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MBRD835LT4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1456 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MBRD835LT4G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SMD; 35V; 8A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Case: DPAK Mounting: SMD Max. off-state voltage: 35V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.41V Max. load current: 16A Kind of package: reel; tape |
на замовлення 1120 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MBRD835LT4G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 510 mV @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.4 mA @ 35 V |
на замовлення 18476 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
MBRD835LT4G Код товару: 191911
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
![]() |
MBRD835LT4G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 19328 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MBRD835LT4G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SMD; 35V; 8A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Case: DPAK Mounting: SMD Max. off-state voltage: 35V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.41V Max. load current: 16A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1120 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MBRD835LT4G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Durchlassstoßstrom: 75A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 510mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 35V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MBRD8 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 3100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MBRD835LT4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
MBRD835LT4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 494 шт: термін постачання 3 дні (днів) |