| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 38.58 грн |
| 10+ | 31.76 грн |
| 100+ | 21.12 грн |
| 500+ | 16.57 грн |
| 1000+ | 12.77 грн |
| 3000+ | 11.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MBRM110ET1G onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 10V 1A POWERMITE, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 10 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 530 mV @ 1 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 10 V, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Supplier Device Package: Powermite, Current - Average Rectified (Io): 1A, Technology: Schottky, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: DO-216AA, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції MBRM110ET1G за ціною від 6.43 грн до 6.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MBRM110ET1G | ON-Semiconductor |
 1A; 10V package: tape&reel; MBRM110ET1G DO216AA(CASE457) MIC Schottky diode DS MBRM110ET1Gкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 2980 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| MBRM110ET1G |
|
Виробник: ON-Semiconductor
1A; 10V package: tape&reel; MBRM110ET1G DO216AA(CASE457) MIC Schottky diode DS MBRM110ET1G
кількість в упаковці: 100 шт
1A; 10V package: tape&reel; MBRM110ET1G DO216AA(CASE457) MIC Schottky diode DS MBRM110ET1G
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 6.43 грн |