на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 40.34 грн |
| 10+ | 34.01 грн |
| 100+ | 22.00 грн |
| 500+ | 17.36 грн |
| 1000+ | 12.58 грн |
| 2500+ | 12.14 грн |
| 5000+ | 11.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MBRM110ET3G onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 10V 1A POWERMITE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-216AA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: Powermite, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 10 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 530 mV @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 10 V.
Інші пропозиції MBRM110ET3G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MBRM110ET3G | Виробник : ON Semiconductor |
 Rectifier Diode Schottky 10V 1A 2-Pin(1+Tab) Power Mite T/R |
товару немає в наявності |
|
 |
MBRM110ET3G | Виробник : onsemi |
Description: DIODE SCHOTTKY 10V 1A POWERMITE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-216AA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Powermite Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 10 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 530 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 10 V |
товару немає в наявності |
|
|
|
MBRM110ET3G | Виробник : onsemi |
Description: DIODE SCHOTTKY 10V 1A POWERMITE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-216AA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Powermite Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 10 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 530 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 10 V |
товару немає в наявності |