
MBRM110LT3G onsemi

Description: DIODE SCHOTTKY 10V 1A POWERMITE
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-216AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Powermite
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 10 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 365 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 10 V
на замовлення 18370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2082+ | 10.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MBRM110LT3G onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 10V 1A POWERMITE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-216AA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: Powermite, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 10 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 365 mV @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 10 V.
Інші пропозиції MBRM110LT3G
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
MBRM110LT3G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
MBRM110LT3G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-216AA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Powermite Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 10 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 365 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 10 V |
товару немає в наявності |
|
![]() |
MBRM110LT3G | Виробник : onsemi |
![]() |
товару немає в наявності |