Технічний опис MBRM120ET3 ON Semicondu
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A POWERMITE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-216AA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: Powermite, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 530 mV @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 20 V.
Інші пропозиції MBRM120ET3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
MBRM120ET3 | Виробник : ON |
![]() |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
MBRM120ET3 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1529 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||
![]() |
MBRM120ET3 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-216AA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Powermite Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 530 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 20 V |
товару немає в наявності |
|
![]() |
MBRM120ET3 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-216AA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Powermite Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 530 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 20 V |
товару немає в наявності |