
MBRM120ET3G onsemi

Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A POWERMITE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-216AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Powermite
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 530 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 20 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
12000+ | 7.83 грн |
24000+ | 6.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MBRM120ET3G onsemi
Description: ONSEMI - MBRM120ET3G - Schottky-Gleichrichterdiode, Universal, 20 V, 1 A, Einfach, DO-216AA, 2 Pin(s), 530 mV, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-216AA, Durchlassstoßstrom: 50A, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: AEC-Q101, Durchlassspannung, max.: 530mV, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 20V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: MBRM1, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MBRM120ET3G за ціною від 7.67 грн до 58.71 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MBRM120ET3G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 6661 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MBRM120ET3G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-216AA Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 530mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 20V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: MBRM1 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 61320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MBRM120ET3G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-216AA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Powermite Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 530 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 20 V |
на замовлення 28693 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MBRM120ET3G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-216AA Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 530mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 20V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: MBRM1 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 61320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MBRM120ET3G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 6661 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MBRM120ET3G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 44404 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
MBRM120ET3G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 9014 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
![]() |
MBRM120ET3G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
![]() |
MBRM120ET3G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |