
MBRS10H200CT Taiwan Semiconductor
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 32.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MBRS10H200CT Taiwan Semiconductor
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - MBRS10H200CT - Schottky-Gleichrichterdiode, wärmebeständig, 200 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK), Durchlassstoßstrom: 120A, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 970mV, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MBRS10HxxxCT Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції MBRS10H200CT за ціною від 30.49 грн до 129.57 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MBRS10H200CT | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MBRS10H200CT | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Durchlassstoßstrom: 120A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 970mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MBRS10HxxxCT Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 1547 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MBRS10H200CT | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
на замовлення 945 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MBRS10H200CT | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Durchlassstoßstrom: 120A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 970mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MBRS10HxxxCT Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 1547 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MBRS10H200CT | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
MBRS10H200CT | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
MBRS10H200CT | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 970 mV @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V |
товару немає в наявності |