MBRT200100 GeneSiC Semiconductor
Виробник: GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MOD SCHOT 100V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 7296.03 грн |
| 10+ | 6162.22 грн |
| 25+ | 5848.98 грн |
| 50+ | 5276.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MBRT200100 GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOT 100V 100A 3TOWER, Packaging: Bulk, Package / Case: Three Tower, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A, Supplier Device Package: Three Tower, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 100 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V.
Інші пропозиції MBRT200100
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MBRT200100 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky 100V 200A 3-Pin Three Tower |
товару немає в наявності |
|
 |
MBRT200100 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 200A100P/70 |
товару немає в наявності |