MBRT20035R GeneSiC Semiconductor
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 35V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MBRT20035R GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 35V 100A 3TOWER, Packaging: Bulk, Package / Case: Three Tower, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Anode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A, Supplier Device Package: Three Tower, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V.
Інші пропозиції MBRT20035R
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
MBRT20035R | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 35V 200A Schottky Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. |
| MBRT20035R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 35V 200A Schottky Recovery
Diode Modules 35V 200A Schottky Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.


