Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > MBRT20060R
MBRT20060R

MBRT20060R GeneSiC Semiconductor

mbrt200100.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 60V 100A 3TOWER
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Part Status: Active
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+7517.81 грн
10+6349.70 грн
25+6026.94 грн
50+5437.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MBRT20060R GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE MOD SCHOTT 60V 100A 3TOWER, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Supplier Device Package: Three Tower, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A, Diode Configuration: 1 Pair Common Anode, Technology: Schottky, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: Three Tower, Packaging: Bulk, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V, Part Status: Active.

Інші пропозиції MBRT20060R

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
MBRT20060R MBRT20060R GeneSiC Semiconductor mbrt20060r-2452087.pdf Discrete Semiconductor Modules 60V 200A Schottky Recovery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRT20060R mbrt20060r-2452087.pdf
MBRT20060R
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 60V 200A Schottky Recovery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.