
MBRT400100 DACO Semiconductor

Category: Diode modules
Description: Module: diode; double,common cathode; 100V; If: 200Ax2; TO240AB
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 200A x2
Case: TO240AB
Max. forward voltage: 0.84V
Max. forward impulse current: 3kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: Schottky
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 4312.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MBRT400100 DACO Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOT 100V 200A 3TOWER, Packaging: Bulk, Package / Case: Three Tower, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A, Supplier Device Package: Three Tower, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 200 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V.
Інші пропозиції MBRT400100 за ціною від 4970.16 грн до 9959.65 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MBRT400100 | Виробник : DACO Semiconductor |
![]() Description: Module: diode; double,common cathode; 100V; If: 200Ax2; TO240AB Type of semiconductor module: diode Semiconductor structure: common cathode; double Max. off-state voltage: 100V Load current: 200A x2 Case: TO240AB Max. forward voltage: 0.84V Max. forward impulse current: 3kA Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Features of semiconductor devices: Schottky кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
MBRT400100 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 200 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V |
на замовлення 31 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
MBRT400100 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 84 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|