MBRT60035R DACO Semiconductor


MBRT60020(R)-MBRT60045(R).pdf Виробник: DACO Semiconductor
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double,common anode; 30V; If: 300Ax2; TO240AB; screw
Max. forward impulse current: 4kA
Max. forward voltage: 0.75V
Features of semiconductor devices: Schottky
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 30V
Electrical mounting: screw
Load current: 300A x2
Type of module: diode
Semiconductor structure: common anode; double
Leakage current: 10µA
Case: TO240AB
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MBRT60035R DACO Semiconductor

Category: Diode modules, Description: Module: diode; double,common anode; 30V; If: 300Ax2; TO240AB; screw, Max. forward impulse current: 4kA, Max. forward voltage: 0.75V, Features of semiconductor devices: Schottky, Mechanical mounting: screw, Max. off-state voltage: 30V, Electrical mounting: screw, Load current: 300A x2, Type of module: diode, Semiconductor structure: common anode; double, Leakage current: 10µA, Case: TO240AB, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції MBRT60035R

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MBRT60035R MBRT60035R Виробник : GeneSiC Semiconductor 36144912748954440mbrt60020_thru_mbrt60040r.pdf Rectifier Diode Schottky 35V 600A 3-Pin Three Tower
товар відсутній
MBRT60035R MBRT60035R Виробник : GeneSiC Semiconductor mbrt60020.pdf Description: DIODE MODULE 35V 600A 3TOWER
товар відсутній
MBRT60035R MBRT60035R Виробник : GeneSiC Semiconductor mbrt60035r-2451171.pdf Discrete Semiconductor Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 600A 35P/25
товар відсутній
MBRT60035R Виробник : DACO Semiconductor MBRT60020(R)-MBRT60045(R).pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double,common anode; 30V; If: 300Ax2; TO240AB; screw
Max. forward impulse current: 4kA
Max. forward voltage: 0.75V
Features of semiconductor devices: Schottky
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 30V
Electrical mounting: screw
Load current: 300A x2
Type of module: diode
Semiconductor structure: common anode; double
Leakage current: 10µA
Case: TO240AB
товар відсутній