MBRT60040R DACO Semiconductor


MBRT60020(R)-MBRT60045(R).pdf Виробник: DACO Semiconductor
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double,common anode; 40V; If: 300Ax2; TO240AB; screw
Case: TO240AB
Max. forward impulse current: 4kA
Max. forward voltage: 0.75V
Features of semiconductor devices: Schottky
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 40V
Electrical mounting: screw
Load current: 300A x2
Type of module: diode
Semiconductor structure: common anode; double
Leakage current: 10µA
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MBRT60040R DACO Semiconductor

Category: Diode modules, Description: Module: diode; double,common anode; 40V; If: 300Ax2; TO240AB; screw, Case: TO240AB, Max. forward impulse current: 4kA, Max. forward voltage: 0.75V, Features of semiconductor devices: Schottky, Mechanical mounting: screw, Max. off-state voltage: 40V, Electrical mounting: screw, Load current: 300A x2, Type of module: diode, Semiconductor structure: common anode; double, Leakage current: 10µA, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції MBRT60040R

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MBRT60040R MBRT60040R Виробник : GeneSiC Semiconductor 36144912748954440mbrt60020_thru_mbrt60040r.pdf Rectifier Diode Schottky 40V 600A 3-Pin Three Tower
товар відсутній
MBRT60040R MBRT60040R Виробник : GeneSiC Semiconductor mbrt60020.pdf Description: DIODE MODULE 40V 600A 3TOWER
товар відсутній
MBRT60040R MBRT60040R Виробник : GeneSiC Semiconductor mbrt60040r-2451512.pdf Discrete Semiconductor Modules 40V 600A Schottky Recovery
товар відсутній
MBRT60040R Виробник : DACO Semiconductor MBRT60020(R)-MBRT60045(R).pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double,common anode; 40V; If: 300Ax2; TO240AB; screw
Case: TO240AB
Max. forward impulse current: 4kA
Max. forward voltage: 0.75V
Features of semiconductor devices: Schottky
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 40V
Electrical mounting: screw
Load current: 300A x2
Type of module: diode
Semiconductor structure: common anode; double
Leakage current: 10µA
товар відсутній