MBT2222ADW1T1G ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 2.82 грн |
| 9000+ | 2.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MBT2222ADW1T1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MBT2222ADW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 40 V, 600 mA, 150 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 35hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung, PNP: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 150mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 600mA.
Інші пропозиції MBT2222ADW1T1G за ціною від 2.68 грн до 13.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MBT2222ADW1T1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 4198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MBT2222ADW1T1G | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN x2; bipolar; 40V; 0.6A; 0.15W; SC70-6,SC88,SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 40V Power dissipation: 0.15W Polarisation: bipolar Type of transistor: NPN x2 Current gain: 100...300 Case: SC70-6; SC88; SOT363 Frequency: 300MHz Collector current: 0.6A |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MBT2222ADW1T1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
|
MBT2222ADW1T1G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 600mA 75V Dual NPN |
на замовлення 419975 шт: термін постачання 329-338 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
MBT2222ADW1T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MBT2222ADW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 40 V, 600 mA, 150 mWtariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 35hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung, PNP: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 150mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 600mA |
на замовлення 718 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
MBT2222ADW1T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MBT2222ADW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 40 V, 600 mA, 150 mWtariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 35hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung, PNP: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 150mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 600mA |
на замовлення 718 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| MBT2222ADW1T1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 4198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1277+ | 11.05 грн |
| 2047+ | 6.90 грн |
| 2863+ | 4.93 грн |
| 3172+ | 4.29 грн |
| MBT2222ADW1T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 40V; 0.6A; 0.15W; SC70-6,SC88,SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 40V
Power dissipation: 0.15W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN x2
Current gain: 100...300
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Frequency: 300MHz
Collector current: 0.6A
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 40V; 0.6A; 0.15W; SC70-6,SC88,SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 40V
Power dissipation: 0.15W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN x2
Current gain: 100...300
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Frequency: 300MHz
Collector current: 0.6A
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 34+ | 13.52 грн |
| 47+ | 8.95 грн |
| 70+ | 6.04 грн |
| 100+ | 5.06 грн |
| 200+ | 4.28 грн |
| 500+ | 3.48 грн |
| 1000+ | 3.04 грн |
| 1500+ | 2.81 грн |
| 2000+ | 2.68 грн |
| MBT2222ADW1T1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MBT2222ADW1T1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 600mA 75V Dual NPN
Bipolar Transistors - BJT 600mA 75V Dual NPN
на замовлення 419975 шт:
термін постачання 329-338 дні (днів)
| MBT2222ADW1T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBT2222ADW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 40 V, 600 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 35hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 600mA
Description: ONSEMI - MBT2222ADW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 40 V, 600 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 35hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 600mA
на замовлення 718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MBT2222ADW1T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBT2222ADW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 40 V, 600 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 35hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 600mA
Description: ONSEMI - MBT2222ADW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 40 V, 600 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 35hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 600mA
на замовлення 718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






