Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MBT2222ADW1T1G
MBT2222ADW1T1G

MBT2222ADW1T1G ON Semiconductor

mbt2222adw1t1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+2.83 грн
9000+2.68 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MBT2222ADW1T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MBT2222ADW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 40 V, 600 mA, 150 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 35hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung, PNP: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 150mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 600mA.

Інші пропозиції MBT2222ADW1T1G за ціною від 2.55 грн до 17.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
MBT2222ADW1T1G MBT2222ADW1T1G ONSEMI mbt2222adw1t1-d.pdf description Description: ONSEMI - MBT2222ADW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 40 V, 600 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 35hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 600mA
на замовлення 718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+8.04 грн
148+5.46 грн
500+3.78 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBT2222ADW1T1G MBT2222ADW1T1G ON Semiconductor mbt2222adw1t1-d.pdf description Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 4198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1277+11.08 грн
2047+6.91 грн
2863+4.94 грн
3172+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 1277 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBT2222ADW1T1G MBT2222ADW1T1G ONSEMI mbt2222adw1t1-d.pdf description Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 40V; 0.6A; 0.15W; SC70-6,SC88,SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: NPN x2
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Power dissipation: 0.15W
Collector current: 0.6A
Collector-emitter voltage: 40V
Current gain: 100...300
Frequency: 300MHz
Polarisation: bipolar
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
34+13.39 грн
47+8.87 грн
70+5.99 грн
100+5.02 грн
200+4.24 грн
500+3.45 грн
1000+3.01 грн
1500+2.79 грн
2000+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBT2222ADW1T1G MBT2222ADW1T1G ONSEMI mbt2222adw1t1-d.pdf description Description: ONSEMI - MBT2222ADW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 40 V, 600 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 35hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 600mA
на замовлення 718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+14.55 грн
100+8.04 грн
148+5.46 грн
500+3.78 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBT2222ADW1T1G MBT2222ADW1T1G onsemi mbt2222adw1t1-d.pdf description Bipolar Transistors - BJT 600mA 75V Dual NPN
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
19+17.28 грн
30+10.61 грн
100+5.79 грн
500+4.13 грн
1000+3.58 грн
3000+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBT2222ADW1T1G MBT2222ADW1T1G ON Semiconductor mbt2222adw1t1-d.pdf description Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MBT2222ADW1T1G description mbt2222adw1t1-d.pdf
MBT2222ADW1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBT2222ADW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 40 V, 600 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 35hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 600mA
на замовлення 718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+8.04 грн
148+5.46 грн
500+3.78 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBT2222ADW1T1G description mbt2222adw1t1-d.pdf
MBT2222ADW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 4198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1277+11.08 грн
2047+6.91 грн
2863+4.94 грн
3172+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 1277 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBT2222ADW1T1G description mbt2222adw1t1-d.pdf
MBT2222ADW1T1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 40V; 0.6A; 0.15W; SC70-6,SC88,SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: NPN x2
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Power dissipation: 0.15W
Collector current: 0.6A
Collector-emitter voltage: 40V
Current gain: 100...300
Frequency: 300MHz
Polarisation: bipolar
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
34+13.39 грн
47+8.87 грн
70+5.99 грн
100+5.02 грн
200+4.24 грн
500+3.45 грн
1000+3.01 грн
1500+2.79 грн
2000+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBT2222ADW1T1G description mbt2222adw1t1-d.pdf
MBT2222ADW1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBT2222ADW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 40 V, 600 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 35hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 600mA
на замовлення 718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
56+14.55 грн
100+8.04 грн
148+5.46 грн
500+3.78 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBT2222ADW1T1G description mbt2222adw1t1-d.pdf
MBT2222ADW1T1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 600mA 75V Dual NPN
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
19+17.28 грн
30+10.61 грн
100+5.79 грн
500+4.13 грн
1000+3.58 грн
3000+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBT2222ADW1T1G description mbt2222adw1t1-d.pdf
MBT2222ADW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.