Продукція > ONSEMI > MBT2222ADW1T1G
MBT2222ADW1T1G

MBT2222ADW1T1G onsemi

mbt2222adw1t1-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS 2NPN 40V 600MA SC88/SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.89 грн
6000+2.49 грн
9000+2.33 грн
15000+2.03 грн
21000+1.94 грн
30000+1.84 грн
75000+1.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MBT2222ADW1T1G onsemi

Description: ONSEMI - MBT2222ADW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 40 V, 600 mA, 150 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 35hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 150mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 600mA, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції MBT2222ADW1T1G за ціною від 1.50 грн до 15.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MBT2222ADW1T1G MBT2222ADW1T1G Виробник : ON Semiconductor mbt2222adw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3990+3.08 грн
9000+2.70 грн
27000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 3990
В кошику  од. на суму  грн.
MBT2222ADW1T1G MBT2222ADW1T1G Виробник : ONSEMI mbt2222adw1t1-d.pdf Description: ONSEMI - MBT2222ADW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 40 V, 600 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 35hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 600mA
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.36 грн
1500+2.92 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MBT2222ADW1T1G MBT2222ADW1T1G Виробник : ON Semiconductor mbt2222adw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 50579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3563+3.45 грн
3606+3.41 грн
3641+3.38 грн
6049+1.96 грн
6383+1.72 грн
15000+1.57 грн
30000+1.50 грн
Мінімальне замовлення: 3563
В кошику  од. на суму  грн.
MBT2222ADW1T1G MBT2222ADW1T1G Виробник : ON Semiconductor mbt2222adw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 50579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
70+8.78 грн
87+7.00 грн
107+5.72 грн
171+3.45 грн
250+2.86 грн
500+2.71 грн
1000+2.69 грн
3000+1.62 грн
6000+1.53 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
MBT2222ADW1T1G MBT2222ADW1T1G Виробник : ONSEMI mbt2222adw1t1-d.pdf Description: ONSEMI - MBT2222ADW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 40 V, 600 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 35hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 600mA
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
66+13.01 грн
98+8.76 грн
223+3.82 грн
500+3.36 грн
1500+2.92 грн
Мінімальне замовлення: 66
В кошику  од. на суму  грн.
MBT2222ADW1T1G MBT2222ADW1T1G Виробник : onsemi mbt2222adw1t1-d.pdf Description: TRANS 2NPN 40V 600MA SC88/SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 144271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+14.76 грн
38+8.53 грн
100+5.26 грн
500+3.60 грн
1000+3.17 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
MBT2222ADW1T1G MBT2222ADW1T1G Виробник : onsemi MBT2222ADW1T1_D-1811023.pdf Bipolar Transistors - BJT 600mA 75V Dual NPN
на замовлення 59550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
23+15.92 грн
38+9.24 грн
100+4.70 грн
500+3.79 грн
1000+3.03 грн
3000+2.27 грн
6000+1.82 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
MBT2222ADW1T1G MBT2222ADW1T1G Виробник : ON Semiconductor mbt2222adw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBT2222ADW1T1G MBT2222ADW1T1G Виробник : ON Semiconductor mbt2222adw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBT2222ADW1T1G MBT2222ADW1T1G Виробник : ONSEMI mbt2222adw1t1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 40V; 0.6A; 0.15W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBT2222ADW1T1G MBT2222ADW1T1G Виробник : ONSEMI mbt2222adw1t1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 40V; 0.6A; 0.15W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.