Продукція > ONSEMI > MBT35200MT1G
MBT35200MT1G

MBT35200MT1G onsemi

mbt35200mt1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 35V 2A 6TSOP
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: 6-TSOP
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 1.5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 310mV @ 20mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+11.14 грн
6000+10.19 грн
9000+9.46 грн
30000+8.67 грн
75000+8.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MBT35200MT1G onsemi

Description: TRANS PNP 35V 2A 6TSOP, Power - Max: 625 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Supplier Device Package: 6-TSOP, Frequency - Transition: 100MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 1.5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 310mV @ 20mA, 2A, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції MBT35200MT1G за ціною від 8.61 грн до 35.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
MBT35200MT1G MBT35200MT1G onsemi mbt35200mt1-d.pdf Description: TRANS PNP 35V 2A 6TSOP
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: 6-TSOP
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 1.5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 310mV @ 20mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 146906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.32 грн
11+27.16 грн
100+18.92 грн
500+13.86 грн
1000+11.27 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBT35200MT1G MBT35200MT1G onsemi MBT35200MT1_D-2315310.pdf Bipolar Transistors - BJT Low Saturation
на замовлення 2119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+35.84 грн
13+25.11 грн
100+15.29 грн
500+12.33 грн
1000+11.09 грн
3000+8.75 грн
9000+8.61 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBT35200MT1G ONN mbt35200mt1-d.pdf
на замовлення 535 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MBT35200MT1G mbt35200mt1-d.pdf
MBT35200MT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 35V 2A 6TSOP
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: 6-TSOP
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 1.5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 310mV @ 20mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 146906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+33.32 грн
11+27.16 грн
100+18.92 грн
500+13.86 грн
1000+11.27 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBT35200MT1G MBT35200MT1_D-2315310.pdf
MBT35200MT1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT Low Saturation
на замовлення 2119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
9+35.84 грн
13+25.11 грн
100+15.29 грн
500+12.33 грн
1000+11.09 грн
3000+8.75 грн
9000+8.61 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBT35200MT1G mbt35200mt1-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 535 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.