MBT3904DW1T3G ON Semiconductor


mbt3904dw1t1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+1.86 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MBT3904DW1T3G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MBT3904DW1T3G - TRANSISTOR ARRAY, DUAL NPN, 40V, SOT-363, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE, Transistormontage: Surface Mount, Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: -, MSL: MSL 1 - Unlimited, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 150mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Dual NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, directShipCharge: 25, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MBT3904DW1T3G за ціною від 1.92 грн до 11.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MBT3904DW1T3G MBT3904DW1T3G ON Semiconductor mbt3904dw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 3826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1398+10.09 грн
2315+6.10 грн
3165+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 1398 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBT3904DW1T3G MBT3904DW1T3G ONSEMI mbt3904dw1t1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 40V; 0.2A; 0.15W; SC70-6,SC88,SOT363
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 40V
Power dissipation: 0.15W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN x2
Current gain: 100...300
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Frequency: 300MHz
Collector current: 0.2A
на замовлення 8594 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
39+11.71 грн
63+6.69 грн
100+4.27 грн
250+3.58 грн
500+3.13 грн
1000+2.74 грн
2000+2.39 грн
5000+2.01 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBT3904DW1T3G MBT3904DW1T3G onsemi mbt3904dw1t1-d.pdf Description: TRANS 2NPN 40V 200MA SC88/SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 6895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.73 грн
44+7.00 грн
100+4.32 грн
500+2.95 грн
1000+2.59 грн
2000+2.28 грн
5000+1.92 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBT3904DW1T3G MBT3904DW1T3G ON Semiconductor mbt3904dw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MBT3904DW1T3G MBT3904DW1T3G onsemi mbt3904dw1t1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 200mA 60V Dual NPN
на замовлення 5258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MBT3904DW1T3G MBT3904DW1T3G ONSEMI 2353989.pdf Description: ONSEMI - MBT3904DW1T3G - TRANSISTOR ARRAY, DUAL NPN, 40V, SOT-363
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE
Transistormontage: Surface Mount
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Dual NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
directShipCharge: 25
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MBT3904DW1T3G mbt3904dw1t1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 3826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1398+10.09 грн
2315+6.10 грн
3165+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 1398 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBT3904DW1T3G mbt3904dw1t1-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 40V; 0.2A; 0.15W; SC70-6,SC88,SOT363
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 40V
Power dissipation: 0.15W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN x2
Current gain: 100...300
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Frequency: 300MHz
Collector current: 0.2A
на замовлення 8594 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
39+11.71 грн
63+6.69 грн
100+4.27 грн
250+3.58 грн
500+3.13 грн
1000+2.74 грн
2000+2.39 грн
5000+2.01 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBT3904DW1T3G mbt3904dw1t1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS 2NPN 40V 200MA SC88/SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 6895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+11.73 грн
44+7.00 грн
100+4.32 грн
500+2.95 грн
1000+2.59 грн
2000+2.28 грн
5000+1.92 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBT3904DW1T3G mbt3904dw1t1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MBT3904DW1T3G mbt3904dw1t1-d.pdf
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 200mA 60V Dual NPN
на замовлення 5258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MBT3904DW1T3G 2353989.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBT3904DW1T3G - TRANSISTOR ARRAY, DUAL NPN, 40V, SOT-363
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE
Transistormontage: Surface Mount
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Dual NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
directShipCharge: 25
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.