Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MBT3906DW1T1G
MBT3906DW1T1G

MBT3906DW1T1G ON Semiconductor

mbt3906dw1t1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14219+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 14219
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MBT3906DW1T1G ON Semiconductor

Description: TRANS 2PNP 40V 200MA SC88/SC70, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 150mW, Current - Collector (Ic) (Max): 200mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V, Frequency - Transition: 250MHz, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Part Status: Active.

Інші пропозиції MBT3906DW1T1G за ціною від 1.64 грн до 18.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MBT3906DW1T1G MBT3906DW1T1G Виробник : ON Semiconductor mbt3906dw1t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 20994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14219+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 14219
В кошику  од. на суму  грн.
MBT3906DW1T1G MBT3906DW1T1G Виробник : onsemi mbt3906dw1t1-d.pdf Description: TRANS 2PNP 40V 200MA SC88/SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.68 грн
6000+2.30 грн
9000+2.16 грн
15000+1.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MBT3906DW1T1G MBT3906DW1T1G Виробник : ON Semiconductor mbt3906dw1t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4425+2.93 грн
6000+2.48 грн
9000+1.96 грн
24000+1.64 грн
Мінімальне замовлення: 4425
В кошику  од. на суму  грн.
MBT3906DW1T1G MBT3906DW1T1G Виробник : ON Semiconductor mbt3906dw1t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.14 грн
6000+2.66 грн
9000+2.11 грн
24000+1.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MBT3906DW1T1G MBT3906DW1T1G Виробник : ON Semiconductor mbt3906dw1t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3624+3.58 грн
9000+2.80 грн
27000+2.67 грн
51000+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 3624
В кошику  од. на суму  грн.
MBT3906DW1T1G MBT3906DW1T1G Виробник : ONSEMI mbt3906.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 40V; 0.2A; 0.15W; SC70-6,SC88,SOT363
Kind of package: reel; tape
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Type of transistor: PNP x2
Mounting: SMD
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.15W
Current gain: 100...300
Collector-emitter voltage: 40V
Frequency: 250MHz
Polarisation: bipolar
на замовлення 2187 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
46+9.87 грн
76+5.50 грн
122+3.42 грн
500+2.57 грн
1000+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
MBT3906DW1T1G MBT3906DW1T1G Виробник : onsemi mbt3906dw1t1-d.pdf Description: TRANS 2PNP 40V 200MA SC88/SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 19229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+13.24 грн
39+7.87 грн
100+4.87 грн
500+3.33 грн
1000+2.93 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
MBT3906DW1T1G MBT3906DW1T1G Виробник : onsemi MBT3906DW1T1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR PNP 40V
на замовлення 31913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
24+13.89 грн
39+8.36 грн
100+4.50 грн
500+3.32 грн
1000+2.91 грн
3000+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
MBT3906DW1T1G MBT3906DW1T1G Виробник : ON Semiconductor mbt3906dw1t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
41+18.48 грн
66+11.27 грн
106+6.99 грн
500+4.91 грн
1000+4.00 грн
3000+2.89 грн
6000+2.37 грн
9000+1.87 грн
24000+1.71 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
MBT3906DW1T1G MBT3906DW1T1G Виробник : ON Semiconductor mbt3906dw1t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MBT3906DW1T1G Виробник : ON Semiconductor MBT3906DW1T1-D.pdf Подвоєний транзистор PNP, Uceo, В = 40, Ic = 200 мА, ft, МГц = 250, hFE = 100 @ 10 мА, 1 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,4 @ 5 мА, 50 мА, Р, Вт = 0,15, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: SC70-6 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 85 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MBT3906DW1T1G MBT3906DW1T1G Виробник : ON Semiconductor mbt3906dw1t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBT3906DW1T1G Виробник : Diodes Incorporated mbt3906dw1t1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.