MBT3906DW1T1G ON Semiconductor
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 1.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MBT3906DW1T1G ON Semiconductor
Description: TRANS 2PNP 40V 200MA SC88/SC70, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 150mW, Current - Collector (Ic) (Max): 200mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V, Frequency - Transition: 250MHz, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Part Status: Active.
Інші пропозиції MBT3906DW1T1G за ціною від 1.17 грн до 17.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MBT3906DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 48997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MBT3906DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MBT3906DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 63000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MBT3906DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 63000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MBT3906DW1T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS 2PNP 40V 200MA SC88/SC70 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MBT3906DW1T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS 2PNP 40V 200MA SC88/SC70 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 69712 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MBT3906DW1T1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR PNP 40V |
на замовлення 69131 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MBT3906DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 44 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| MBT3906DW1T1G | Виробник : ONSEMI |
MBT3906DW1T1G PNP SMD transistors |
на замовлення 2050 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| MBT3906DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Подвоєний транзистор PNP; Uceo, В = 40; Ic = 200 мА; ft, МГц = 250; hFE = 100 @ 10 мА, 1 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,4 @ 5 мА, 50 мА; Р, Вт = 0,15; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SC70-6 |
на замовлення 96 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||||||||||||||||
| MBT3906DW1T1G | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT |
товару немає в наявності |