Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MBT3906DW1T1G
MBT3906DW1T1G

MBT3906DW1T1G ON Semiconductor

mbt3906dw1t1d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5137+2.75 грн
9000+2.62 грн
27000+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 5137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MBT3906DW1T1G ON Semiconductor

Description: TRANS 2PNP 40V 200MA SC88/SC70, Part Status: Active, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Frequency - Transition: 250MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V, Current - Collector (Ic) (Max): 200mA, Power - Max: 150mW, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: 2 PNP (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції MBT3906DW1T1G за ціною від 2.03 грн до 14.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MBT3906DW1T1G MBT3906DW1T1G onsemi mbt3906dw1t1-d.pdf Description: TRANS 2PNP 40V 200MA SC88/SC70
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Power - Max: 150mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.80 грн
6000+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBT3906DW1T1G MBT3906DW1T1G ON Semiconductor mbt3906dw1t1d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 357000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.30 грн
6000+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBT3906DW1T1G MBT3906DW1T1G ON Semiconductor mbt3906dw1t1d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 357000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4262+3.31 грн
6000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 4262 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBT3906DW1T1G MBT3906DW1T1G ONSEMI mbt3906.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 40V; 0.2A; 0.15W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
на замовлення 634 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
46+10.15 грн
76+5.65 грн
122+3.52 грн
500+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBT3906DW1T1G MBT3906DW1T1G ON Semiconductor mbt3906dw1t1d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+13.45 грн
92+8.20 грн
148+5.11 грн
500+3.61 грн
1000+2.90 грн
3000+2.09 грн
6000+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBT3906DW1T1G MBT3906DW1T1G onsemi mbt3906dw1t1-d.pdf Description: TRANS 2PNP 40V 200MA SC88/SC70
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Power - Max: 150mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.41 грн
36+8.79 грн
100+5.40 грн
500+3.70 грн
1000+3.26 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBT3906DW1T1G MBT3906DW1T1G onsemi mbt3906dw1t1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR PNP 40V
на замовлення 52688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MBT3906DW1T1G MBT3906DW1T1G ON Semiconductor mbt3906dw1t1d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MBT3906DW1T1G ON Semiconductor MBT3906DW1T1-D.pdf Подвоєний транзистор PNP, Uceo, В = 40, Ic = 200 мА, ft, МГц = 250, hFE = 100 @ 10 мА, 1 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,4 @ 5 мА, 50 мА, Р, Вт = 0,15, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SC70-6 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 85 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+4.22 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBT3906DW1T1G mbt3906dw1t1-d.pdf
MBT3906DW1T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS 2PNP 40V 200MA SC88/SC70
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Power - Max: 150mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.80 грн
6000+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBT3906DW1T1G mbt3906dw1t1d.pdf
MBT3906DW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 357000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.30 грн
6000+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBT3906DW1T1G mbt3906dw1t1d.pdf
MBT3906DW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 357000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4262+3.31 грн
6000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 4262 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBT3906DW1T1G mbt3906.pdf
MBT3906DW1T1G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 40V; 0.2A; 0.15W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
на замовлення 634 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
46+10.15 грн
76+5.65 грн
122+3.52 грн
500+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBT3906DW1T1G mbt3906dw1t1d.pdf
MBT3906DW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
56+13.45 грн
92+8.20 грн
148+5.11 грн
500+3.61 грн
1000+2.90 грн
3000+2.09 грн
6000+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBT3906DW1T1G mbt3906dw1t1-d.pdf
MBT3906DW1T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS 2PNP 40V 200MA SC88/SC70
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Power - Max: 150mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+14.41 грн
36+8.79 грн
100+5.40 грн
500+3.70 грн
1000+3.26 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBT3906DW1T1G mbt3906dw1t1-d.pdf
MBT3906DW1T1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR PNP 40V
на замовлення 52688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MBT3906DW1T1G mbt3906dw1t1d.pdf
MBT3906DW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MBT3906DW1T1G MBT3906DW1T1-D.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Подвоєний транзистор PNP, Uceo, В = 40, Ic = 200 мА, ft, МГц = 250, hFE = 100 @ 10 мА, 1 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,4 @ 5 мА, 50 мА, Р, Вт = 0,15, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SC70-6 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 85 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.22 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.