Продукція > ONSEMI > MBT3946DW1T1G
MBT3946DW1T1G

MBT3946DW1T1G ONSEMI

MBT3946DW1T1G.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 40V; 0.2A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250...300MHz
на замовлення 962 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
39+11.77 грн
55+7.65 грн
82+5.18 грн
100+4.39 грн
500+3.04 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MBT3946DW1T1G ONSEMI

Description: ONSEMI - MBT3946DW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 200 mA, 200 mA, 150 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 250hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung, PNP: 150mW, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA, Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 250hFE, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: MJxxxx Series, Verlustleistung, NPN: 150mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA.

Інші пропозиції MBT3946DW1T1G за ціною від 2.27 грн до 17.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
MBT3946DW1T1G MBT3946DW1T1G ONSEMI mbt3946dw1t1-d.pdf Description: ONSEMI - MBT3946DW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 200 mA, 200 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 250hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 150mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA
Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 250hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx Series
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
на замовлення 9581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+13.28 грн
125+6.53 грн
164+4.98 грн
500+3.38 грн
1500+2.77 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBT3946DW1T1G MBT3946DW1T1G ONSEMI mbt3946dw1t1-d.pdf Description: ONSEMI - MBT3946DW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 200 mA, 200 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 250hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 150mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA
Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 250hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx Series
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
на замовлення 9581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.28 грн
125+6.53 грн
164+4.98 грн
500+3.38 грн
1500+2.77 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBT3946DW1T1G MBT3946DW1T1G onsemi mbt3946dw1t1-d.pdf Description: TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SC88/SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz, 250MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 1352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.35 грн
39+7.87 грн
100+4.86 грн
500+3.32 грн
1000+2.92 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBT3946DW1T1G MBT3946DW1T1G onsemi mbt3946dw1t1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 200mA 40V Dual Complementary
на замовлення 16959 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
19+17.52 грн
32+10.04 грн
100+5.38 грн
500+3.84 грн
1000+3.35 грн
3000+2.93 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBT3946DW1T1G ON-Semiconductor mbt3946dw1t1-d.pdf NPN/PNP 40V 200mA 150mW 250MHz MBT3946DW1T1G ON Semiconductor TMBT3946dw1t1g
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 230 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 230 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBT3946DW1T1G mbt3946dw1t1-d.pdf
MBT3946DW1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBT3946DW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 200 mA, 200 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 250hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 150mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA
Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 250hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx Series
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
на замовлення 9581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
62+13.28 грн
125+6.53 грн
164+4.98 грн
500+3.38 грн
1500+2.77 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBT3946DW1T1G mbt3946dw1t1-d.pdf
MBT3946DW1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBT3946DW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 200 mA, 200 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 250hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 150mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA
Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 250hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx Series
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
на замовлення 9581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+13.28 грн
125+6.53 грн
164+4.98 грн
500+3.38 грн
1500+2.77 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBT3946DW1T1G mbt3946dw1t1-d.pdf
MBT3946DW1T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SC88/SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz, 250MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 1352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
24+13.35 грн
39+7.87 грн
100+4.86 грн
500+3.32 грн
1000+2.92 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBT3946DW1T1G mbt3946dw1t1-d.pdf
MBT3946DW1T1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 200mA 40V Dual Complementary
на замовлення 16959 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
19+17.52 грн
32+10.04 грн
100+5.38 грн
500+3.84 грн
1000+3.35 грн
3000+2.93 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBT3946DW1T1G mbt3946dw1t1-d.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
NPN/PNP 40V 200mA 150mW 250MHz MBT3946DW1T1G ON Semiconductor TMBT3946dw1t1g
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 230 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
300+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 230 шт
В кошику  од. на суму  грн.