Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MBT3946DW1T1G
MBT3946DW1T1G

MBT3946DW1T1G ON Semiconductor

mbt3946dw1t1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 243000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.28 грн
6000+1.84 грн
9000+1.83 грн
15000+1.75 грн
21000+1.54 грн
30000+1.46 грн
75000+1.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MBT3946DW1T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MBT3946DW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 200 mA, 200 mA, 150 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 250hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung, PNP: 150mW, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA, Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 250hFE, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: MJxxxx Series, Verlustleistung, NPN: 150mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA.

Інші пропозиції MBT3946DW1T1G за ціною від 2.10 грн до 13.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MBT3946DW1T1G MBT3946DW1T1G ON Semiconductor mbt3946dw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 243000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6199+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 6199 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBT3946DW1T1G MBT3946DW1T1G ON Semiconductor mbt3946dw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5598+2.52 грн
9000+2.32 грн
27000+2.28 грн
51000+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 5598 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBT3946DW1T1G MBT3946DW1T1G ON Semiconductor mbt3946dw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13275+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 13275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBT3946DW1T1G MBT3946DW1T1G ON Semiconductor mbt3946dw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 60258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3326+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 3326 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBT3946DW1T1G MBT3946DW1T1G ON Semiconductor mbt3946dw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+5.64 грн
3441+4.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBT3946DW1T1G MBT3946DW1T1G ON Semiconductor mbt3946dw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 60258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+7.87 грн
127+5.93 грн
128+5.89 грн
176+4.13 грн
250+3.79 грн
500+2.54 грн
1000+2.35 грн
6000+2.26 грн
15000+2.12 грн
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBT3946DW1T1G MBT3946DW1T1G ONSEMI MBT3946DW1T1G.PDF Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 40V; 0.2A
Kind of package: reel; tape
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Frequency: 250...300MHz
Collector current: 0.2A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 40V
Power dissipation: 0.15W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Type of transistor: NPN / PNP
Current gain: 100...300
на замовлення 962 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
34+13.52 грн
52+8.12 грн
76+5.56 грн
100+4.73 грн
500+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBT3946DW1T1G MBT3946DW1T1G onsemi Bipolar Transistors - BJT 200mA 40V Dual Complementary
на замовлення 16959 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MBT3946DW1T1G MBT3946DW1T1G ONSEMI ONSM-S-A0013579361-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MBT3946DW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 200 mA, 200 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 250hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 150mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA
Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 250hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx Series
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
на замовлення 6221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBT3946DW1T1G MBT3946DW1T1G ONSEMI Description: ONSEMI - MBT3946DW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 200 mA, 200 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 250hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 150mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA
Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 250hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx Series
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
на замовлення 9581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBT3946DW1T1G ON-Semiconductor NPN/PNP 40V 200mA 150mW 250MHz MBT3946DW1T1G ON Semiconductor TMBT3946dw1t1g
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 230 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.26 грн
Мінімальне замовлення: 230 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBT3946DW1T1G mbt3946dw1t1-d.pdf
MBT3946DW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 243000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6199+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 6199 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBT3946DW1T1G mbt3946dw1t1-d.pdf
MBT3946DW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5598+2.52 грн
9000+2.32 грн
27000+2.28 грн
51000+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 5598 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBT3946DW1T1G mbt3946dw1t1-d.pdf
MBT3946DW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13275+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 13275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBT3946DW1T1G mbt3946dw1t1-d.pdf
MBT3946DW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 60258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3326+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 3326 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBT3946DW1T1G mbt3946dw1t1-d.pdf
MBT3946DW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+5.64 грн
3441+4.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBT3946DW1T1G mbt3946dw1t1-d.pdf
MBT3946DW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 60258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
96+7.87 грн
127+5.93 грн
128+5.89 грн
176+4.13 грн
250+3.79 грн
500+2.54 грн
1000+2.35 грн
6000+2.26 грн
15000+2.12 грн
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBT3946DW1T1G MBT3946DW1T1G.PDF
MBT3946DW1T1G
Виробник: ONSEMI
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 40V; 0.2A
Kind of package: reel; tape
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Frequency: 250...300MHz
Collector current: 0.2A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 40V
Power dissipation: 0.15W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Type of transistor: NPN / PNP
Current gain: 100...300
на замовлення 962 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
34+13.52 грн
52+8.12 грн
76+5.56 грн
100+4.73 грн
500+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBT3946DW1T1G
MBT3946DW1T1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 200mA 40V Dual Complementary
на замовлення 16959 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MBT3946DW1T1G ONSM-S-A0013579361-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MBT3946DW1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBT3946DW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 200 mA, 200 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 250hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 150mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA
Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 250hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx Series
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
на замовлення 6221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBT3946DW1T1G
MBT3946DW1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBT3946DW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 200 mA, 200 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 250hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 150mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA
Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 250hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx Series
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
на замовлення 9581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBT3946DW1T1G
Виробник: ON-Semiconductor
NPN/PNP 40V 200mA 150mW 250MHz MBT3946DW1T1G ON Semiconductor TMBT3946dw1t1g
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 230 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
300+2.26 грн
Мінімальне замовлення: 230 шт
В кошику  од. на суму  грн.