
MBT3946DW1T1G ON Semiconductor
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 1.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MBT3946DW1T1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MBT3946DW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 200 mA, 200 mA, 150 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 250hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: 150mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA, Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 250hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: MJxxxx Series, Verlustleistung, NPN: 150mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MBT3946DW1T1G за ціною від 1.18 грн до 15.85 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MBT3946DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 279000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MBT3946DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MBT3946DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 279000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MBT3946DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MBT3946DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MBT3946DW1T1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 300MHz, 250MHz Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 93000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MBT3946DW1T1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 250hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 150mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 250hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: MJxxxx Series Verlustleistung, NPN: 150mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 28121 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MBT3946DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 81000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MBT3946DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 60258 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MBT3946DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 5400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MBT3946DW1T1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 40V; 0.2A Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: complementary pair Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.15W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250...300MHz |
на замовлення 2567 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MBT3946DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 60258 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MBT3946DW1T1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 171711 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MBT3946DW1T1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 300MHz, 250MHz Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 94294 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MBT3946DW1T1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 250hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 150mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 250hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: MJxxxx Series Verlustleistung, NPN: 150mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 28121 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MBT3946DW1T1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 40V; 0.2A Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: complementary pair Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.15W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250...300MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2567 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
MBT3946DW1T1G | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 230 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
MBT3946DW1T1G | Виробник : ONS |
![]() |
на замовлення 370 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
MBT3946DW1T1G | Виробник : On Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2 шт: термін постачання 5 дні (днів) |