Продукція > ONSEMI > MBT3946DW1T2G
MBT3946DW1T2G

MBT3946DW1T2G onsemi


mbt3946dw1t1-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRAN NPN/PNP 40V 0.2A SC88/SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz, 250MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 114000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.17 грн
6000+ 1.98 грн
9000+ 1.68 грн
30000+ 1.46 грн
75000+ 1.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MBT3946DW1T2G onsemi

Description: ONSEMI - MBT3946DW1T2G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 200 mA, 200 mA, 150 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE, Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Verlustleistung, PNP: 150mW, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA, Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Verlustleistung, NPN: 150mW, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA.

Інші пропозиції MBT3946DW1T2G за ціною від 1.2 грн до 14.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MBT3946DW1T2G MBT3946DW1T2G Виробник : ONSEMI 1748193.pdf Description: ONSEMI - MBT3946DW1T2G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 200 mA, 200 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung, PNP: 150mW
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA
Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
на замовлення 5146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+2.36 грн
3000+ 1.66 грн
Мінімальне замовлення: 500
MBT3946DW1T2G MBT3946DW1T2G Виробник : ONSEMI mbt3946dw1t1-d.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 40V; 0.2A
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250...300MHz
Type of transistor: NPN / PNP
Current gain: 30...300
Collector current: 0.2A
Collector-emitter voltage: 40V
Power dissipation: 0.15W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
158+2.37 грн
184+ 1.89 грн
500+ 1.67 грн
553+ 1.41 грн
1519+ 1.33 грн
Мінімальне замовлення: 158
MBT3946DW1T2G MBT3946DW1T2G Виробник : ON Semiconductor mbt3946dw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MBT3946DW1T2G MBT3946DW1T2G Виробник : ONSEMI mbt3946dw1t1-d.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 40V; 0.2A
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250...300MHz
Type of transistor: NPN / PNP
Current gain: 30...300
Collector current: 0.2A
Collector-emitter voltage: 40V
Power dissipation: 0.15W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
95+2.84 грн
111+ 2.35 грн
500+ 2.01 грн
553+ 1.69 грн
1519+ 1.6 грн
Мінімальне замовлення: 95
MBT3946DW1T2G MBT3946DW1T2G Виробник : ON Semiconductor mbt3946dw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
47+12.44 грн
49+ 11.81 грн
100+ 6.39 грн
500+ 3.77 грн
1000+ 2.35 грн
3000+ 1.77 грн
6000+ 1.67 грн
9000+ 1.47 грн
15000+ 1.36 грн
Мінімальне замовлення: 47
MBT3946DW1T2G MBT3946DW1T2G Виробник : onsemi mbt3946dw1t1-d.pdf Description: TRAN NPN/PNP 40V 0.2A SC88/SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz, 250MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 122342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+12.97 грн
33+ 8.6 грн
100+ 4.63 грн
500+ 3.41 грн
1000+ 2.37 грн
Мінімальне замовлення: 23
MBT3946DW1T2G MBT3946DW1T2G Виробник : onsemi MBT3946DW1T1_D-2315447.pdf Bipolar Transistors - BJT 200mA 40V Dual Complementary
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+13.75 грн
35+ 8.96 грн
100+ 3.53 грн
1000+ 2.13 грн
3000+ 1.8 грн
9000+ 1.33 грн
45000+ 1.2 грн
Мінімальне замовлення: 23
MBT3946DW1T2G MBT3946DW1T2G Виробник : ONSEMI 1748193.pdf Description: ONSEMI - MBT3946DW1T2G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 200 mA, 200 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung, PNP: 150mW
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA
Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
на замовлення 5146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
53+14.34 грн
64+ 11.8 грн
171+ 4.37 грн
500+ 2.36 грн
3000+ 1.66 грн
Мінімальне замовлення: 53
MBT3946DW1T2G MBT3946DW1T2G Виробник : ON Semiconductor mbt3946dw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MBT3946DW1T2G MBT3946DW1T2G Виробник : ON Semiconductor mbt3946dw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
MBT3946DW1T2G MBT3946DW1T2G Виробник : ON Semiconductor mbt3946dw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній