
MBT3946DW1T2G ON Semiconductor
на замовлення 915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
297+ | 2.04 грн |
497+ | 1.22 грн |
702+ | 0.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MBT3946DW1T2G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MBT3946DW1T2G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 200 mA, 200 mA, 150 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: 150mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA, Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-88, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 150mW, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції MBT3946DW1T2G за ціною від 1.32 грн до 12.87 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MBT3946DW1T2G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 300MHz, 250MHz Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MBT3946DW1T2G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 150mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-88 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 150mW productTraceability: No Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 4360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MBT3946DW1T2G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 40V; 0.2A Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: complementary pair Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.15W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250...300MHz |
на замовлення 4740 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MBT3946DW1T2G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 150mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-88 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 150mW productTraceability: No Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 4360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MBT3946DW1T2G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 31493 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MBT3946DW1T2G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 300MHz, 250MHz Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 91409 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MBT3946DW1T2G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 40V; 0.2A Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: complementary pair Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.15W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250...300MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4740 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MBT3946DW1T2G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
MBT3946DW1T2G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
MBT3946DW1T2G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |