MBT3946DW1T2G onsemi
Виробник: onsemiDescription: TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SC88/SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz, 250MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 177000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.38 грн |
| 6000+ | 2.04 грн |
| 9000+ | 1.91 грн |
| 15000+ | 1.66 грн |
| 21000+ | 1.58 грн |
| 30000+ | 1.50 грн |
| 75000+ | 1.30 грн |
| 150000+ | 1.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MBT3946DW1T2G onsemi
Description: ONSEMI - MBT3946DW1T2G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 200 mA, 200 mA, 150 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: 150mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA, Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-88, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 150mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MBT3946DW1T2G за ціною від 1.75 грн до 13.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MBT3946DW1T2G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SC88/SC70 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 300MHz, 250MHz Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 184409 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MBT3946DW1T2G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 200mA 40V Dual Complementary |
на замовлення 21867 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| MBT3946DW1T2G | Виробник : ONSEMI |
MBT3946DW1T2G Complementary transistors |
на замовлення 4637 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
MBT3946DW1T2G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
MBT3946DW1T2G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
MBT3946DW1T2G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
MBT3946DW1T2G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MBT3946DW1T2G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 200 mA, 200 mA, 150 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 150mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-88 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 150mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
MBT3946DW1T2G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MBT3946DW1T2G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 200 mA, 200 mA, 150 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 150mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-88 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 150mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
товару немає в наявності |