Продукція > ONSEMI > MBT3946DW1T2G
MBT3946DW1T2G

MBT3946DW1T2G onsemi

mbt3946dw1t1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SC88/SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz, 250MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+2.22 грн
6000+1.91 грн
9000+1.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MBT3946DW1T2G onsemi

Description: ONSEMI - MBT3946DW1T2G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 200 mA, 200 mA, 150 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung, PNP: 150mW, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA, Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SC-88, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 150mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA.

Інші пропозиції MBT3946DW1T2G за ціною від 1.57 грн до 12.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
MBT3946DW1T2G MBT3946DW1T2G ONSEMI mbt3946dw1t1-d.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 40V; 0.2A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250...300MHz
на замовлення 4627 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
46+9.96 грн
79+5.38 грн
103+4.10 грн
153+2.75 грн
500+1.73 грн
3000+1.57 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBT3946DW1T2G MBT3946DW1T2G onsemi mbt3946dw1t1-d.pdf Description: TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SC88/SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz, 250MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.78 грн
46+6.66 грн
100+4.08 грн
500+2.79 грн
1000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBT3946DW1T2G MBT3946DW1T2G onsemi mbt3946dw1t1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 200mA 40V Dual Complementary
на замовлення 29684 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
26+12.63 грн
44+7.47 грн
100+4.05 грн
500+2.93 грн
1000+2.58 грн
3000+1.96 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBT3946DW1T2G MBT3946DW1T2G ONSEMI mbt3946dw1t1-d.pdf Description: ONSEMI - MBT3946DW1T2G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 200 mA, 200 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 150mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA
Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+12.63 грн
115+7.14 грн
185+4.42 грн
500+3.00 грн
1000+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBT3946DW1T2G MBT3946DW1T2G ONSEMI mbt3946dw1t1-d.pdf Description: ONSEMI - MBT3946DW1T2G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 200 mA, 200 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 150mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA
Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.63 грн
115+7.14 грн
185+4.42 грн
500+3.00 грн
1000+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBT3946DW1T2G mbt3946dw1t1-d.pdf
MBT3946DW1T2G
Виробник: ONSEMI
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 40V; 0.2A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250...300MHz
на замовлення 4627 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
46+9.96 грн
79+5.38 грн
103+4.10 грн
153+2.75 грн
500+1.73 грн
3000+1.57 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBT3946DW1T2G mbt3946dw1t1-d.pdf
MBT3946DW1T2G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SC88/SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz, 250MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
27+11.78 грн
46+6.66 грн
100+4.08 грн
500+2.79 грн
1000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBT3946DW1T2G mbt3946dw1t1-d.pdf
MBT3946DW1T2G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 200mA 40V Dual Complementary
на замовлення 29684 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
26+12.63 грн
44+7.47 грн
100+4.05 грн
500+2.93 грн
1000+2.58 грн
3000+1.96 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBT3946DW1T2G mbt3946dw1t1-d.pdf
MBT3946DW1T2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBT3946DW1T2G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 200 mA, 200 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 150mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA
Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
65+12.63 грн
115+7.14 грн
185+4.42 грн
500+3.00 грн
1000+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBT3946DW1T2G mbt3946dw1t1-d.pdf
MBT3946DW1T2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBT3946DW1T2G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 200 mA, 200 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 150mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA
Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+12.63 грн
115+7.14 грн
185+4.42 грн
500+3.00 грн
1000+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.