Продукція > ONSEMI > MBT3946DW1T2G
MBT3946DW1T2G

MBT3946DW1T2G onsemi


mbt3946dw1t1-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SC88/SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz, 250MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 177000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.36 грн
6000+2.02 грн
9000+1.90 грн
15000+1.64 грн
21000+1.56 грн
30000+1.49 грн
75000+1.30 грн
150000+1.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MBT3946DW1T2G onsemi

Description: ONSEMI - MBT3946DW1T2G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 200 mA, 200 mA, 150 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: 150mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA, Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-88, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 150mW, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MBT3946DW1T2G за ціною від 1.45 грн до 13.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MBT3946DW1T2G MBT3946DW1T2G Виробник : ONSEMI 1748193.pdf Description: ONSEMI - MBT3946DW1T2G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 200 mA, 200 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 150mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA
Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.45 грн
1000+2.36 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MBT3946DW1T2G MBT3946DW1T2G Виробник : ONSEMI mbt3946dw1t1-d.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 40V; 0.2A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250...300MHz
на замовлення 4737 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
46+9.31 грн
79+5.03 грн
103+3.84 грн
153+2.57 грн
500+1.62 грн
575+1.60 грн
1582+1.51 грн
3000+1.45 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
MBT3946DW1T2G MBT3946DW1T2G Виробник : ONSEMI mbt3946dw1t1-d.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 40V; 0.2A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250...300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4737 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
28+11.17 грн
47+6.27 грн
62+4.60 грн
100+3.08 грн
500+1.94 грн
575+1.91 грн
1582+1.81 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
MBT3946DW1T2G MBT3946DW1T2G Виробник : onsemi mbt3946dw1t1-d.pdf Description: TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SC88/SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz, 250MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 184409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+12.24 грн
45+7.07 грн
100+4.34 грн
500+2.96 грн
1000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
MBT3946DW1T2G MBT3946DW1T2G Виробник : onsemi MBT3946DW1T1_D-1810781.pdf Bipolar Transistors - BJT 200mA 40V Dual Complementary
на замовлення 21867 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
27+13.47 грн
44+7.98 грн
100+4.30 грн
500+3.09 грн
1000+2.34 грн
3000+1.96 грн
6000+1.74 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
MBT3946DW1T2G MBT3946DW1T2G Виробник : ONSEMI 1748193.pdf Description: ONSEMI - MBT3946DW1T2G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 200 mA, 200 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 150mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA
Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
62+13.71 грн
103+8.25 грн
167+5.09 грн
500+3.45 грн
1000+2.36 грн
Мінімальне замовлення: 62
В кошику  од. на суму  грн.
MBT3946DW1T2G MBT3946DW1T2G Виробник : ON Semiconductor mbt3946dw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBT3946DW1T2G MBT3946DW1T2G Виробник : ON Semiconductor mbt3946dw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBT3946DW1T2G MBT3946DW1T2G Виробник : ON Semiconductor mbt3946dw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.