MBT6429DW1T1G ON Semiconductor
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 21000+ | 2.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MBT6429DW1T1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MBT6429DW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 200 mA, 150 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 500hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 700MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Verlustleistung, PNP: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-88, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 150mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції MBT6429DW1T1G за ціною від 2.03 грн до 455.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MBT6429DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 45V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MBT6429DW1T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS 2NPN 45V 200MA SC88/SC70 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 700MHz Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MBT6429DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 10835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MBT6429DW1T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MBT6429DW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 200 mA, 150 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 500hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 700MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-88 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 150mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3534 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MBT6429DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 10835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MBT6429DW1T1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 200mA 55V NPN |
на замовлення 8819 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MBT6429DW1T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS 2NPN 45V 200MA SC88/SC70 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 700MHz Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MBT6429DW1T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MBT6429DW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 200 mA, 150 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 500hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 700MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-88 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 150mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3534 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MBT6429DW1T1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 45V; 0.2A; 0.15W; SC70-6,SC88,SOT363 Type of transistor: NPN x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.15W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Current gain: 500...1250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 700MHz |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MBT6429DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R |
товару немає в наявності |