Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MBT6429DW1T1G
MBT6429DW1T1G

MBT6429DW1T1G ON Semiconductor

mbt6429dw1t1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
21000+2.36 грн
Мінімальне замовлення: 21000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MBT6429DW1T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MBT6429DW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 200 mA, 150 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 500hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 700MHz, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung, PNP: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SC-88, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 150mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA.

Інші пропозиції MBT6429DW1T1G за ціною від 2.21 грн до 450.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MBT6429DW1T1G MBT6429DW1T1G ON Semiconductor mbt6429dw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21000+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 21000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBT6429DW1T1G MBT6429DW1T1G onsemi mbt6429dw1t1-d.pdf Description: TRANS 2NPN 45V 200MA SC88/SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 700MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBT6429DW1T1G MBT6429DW1T1G ON Semiconductor mbt6429dw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 10835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2104+6.71 грн
2174+6.49 грн
2698+5.23 грн
3139+4.34 грн
4602+2.74 грн
6000+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 2104 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBT6429DW1T1G MBT6429DW1T1G ON Semiconductor mbt6429dw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 10835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+15.14 грн
71+10.60 грн
78+9.73 грн
113+6.47 грн
250+5.80 грн
500+4.48 грн
1000+3.85 грн
3000+2.63 грн
6000+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBT6429DW1T1G MBT6429DW1T1G onsemi mbt6429dw1t1-d.pdf Description: TRANS 2NPN 45V 200MA SC88/SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 700MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.64 грн
34+9.04 грн
100+5.59 грн
500+3.84 грн
1000+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBT6429DW1T1G MBT6429DW1T1G ONSEMI mbt6429dw1t1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 45V; 0.2A; 0.15W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 700MHz
Current gain: 500...1250
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+450.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MBT6429DW1T1G MBT6429DW1T1G onsemi mbt6429dw1t1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 200mA 55V NPN
на замовлення 8819 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MBT6429DW1T1G MBT6429DW1T1G ONSEMI mbt6429dw1t1-d.pdf Description: ONSEMI - MBT6429DW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 200 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 500hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 700MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBT6429DW1T1G MBT6429DW1T1G ONSEMI mbt6429dw1t1-d.pdf Description: ONSEMI - MBT6429DW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 200 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 500hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 700MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBT6429DW1T1G mbt6429dw1t1-d.pdf
MBT6429DW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
21000+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 21000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBT6429DW1T1G mbt6429dw1t1-d.pdf
MBT6429DW1T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS 2NPN 45V 200MA SC88/SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 700MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBT6429DW1T1G mbt6429dw1t1-d.pdf
MBT6429DW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 10835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2104+6.71 грн
2174+6.49 грн
2698+5.23 грн
3139+4.34 грн
4602+2.74 грн
6000+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 2104 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBT6429DW1T1G mbt6429dw1t1-d.pdf
MBT6429DW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 10835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+15.14 грн
71+10.60 грн
78+9.73 грн
113+6.47 грн
250+5.80 грн
500+4.48 грн
1000+3.85 грн
3000+2.63 грн
6000+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBT6429DW1T1G mbt6429dw1t1-d.pdf
MBT6429DW1T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS 2NPN 45V 200MA SC88/SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 700MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+15.64 грн
34+9.04 грн
100+5.59 грн
500+3.84 грн
1000+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBT6429DW1T1G mbt6429dw1t1-d.pdf
MBT6429DW1T1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 45V; 0.2A; 0.15W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 700MHz
Current gain: 500...1250
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+450.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MBT6429DW1T1G mbt6429dw1t1-d.pdf
MBT6429DW1T1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 200mA 55V NPN
на замовлення 8819 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MBT6429DW1T1G mbt6429dw1t1-d.pdf
MBT6429DW1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBT6429DW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 200 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 500hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 700MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBT6429DW1T1G mbt6429dw1t1-d.pdf
MBT6429DW1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBT6429DW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 200 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 500hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 700MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.