
MC1413DR2 ONSEMI

Description: ONSEMI - MC1413DR2 - MC1413DR2, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
250+ | 28.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MC1413DR2 ONSEMI
Description: TRANS 7NPN DARL 50V 500MA 16SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 7 NPN Darlington, Operating Temperature: 150°C (TJ), Current - Collector (Ic) (Max): 500mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V, Supplier Device Package: 16-SOIC, Part Status: Obsolete.
Інші пропозиції MC1413DR2 за ціною від 29.36 грн до 38.95 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MC1413DR2 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 7 NPN Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Current - Collector (Ic) (Max): 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V Supplier Device Package: 16-SOIC |
на замовлення 4046 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
MC1413DR2 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
MC1413DR2 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1521 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
MC1413DR2 | Виробник : MOTOROLA |
![]() |
на замовлення 12 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
MC1413DR2 | Виробник : ON |
![]() |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
MC1413DR2 | Виробник : ON |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
MC1413DR2 | Виробник : ON |
![]() |
на замовлення 1793 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
MC1413DR2 | Виробник : ON |
![]() |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
![]() |
MC1413DR2 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 7 NPN Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Current - Collector (Ic) (Max): 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V Supplier Device Package: 16-SOIC Part Status: Obsolete |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
MC1413DR2 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 7 NPN Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Current - Collector (Ic) (Max): 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V Supplier Device Package: 16-SOIC Part Status: Obsolete |
товару немає в наявності |