Інші пропозиції MC33151DG за ціною від 40.94 грн до 125.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MC33151DG | ON Semiconductor |
Driver 1.5A 2-OUT High Speed Inv 8-Pin SOIC N Tube |
на замовлення 1787 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MC33151DG | ONSEMI |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; MOSFET gate driver; SO8; -1.5÷1.5A; 0.8÷11.2V; Ch: 2 Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: MOSFET gate driver Case: SO8 Output current: -1.5...1.5A Number of channels: 2 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Impulse rise time: 30ns Pulse fall time: 30ns Supply voltage: 6.5...18V DC Output voltage: 0.8...11.2V Kind of package: tube Protection: undervoltage UVP Kind of output: inverting |
на замовлення 42 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MC33151DG | onsemi |
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOICPackaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 6.5V ~ 18V Input Type: Inverting Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 31ns, 32ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Low-Side Number of Drivers: 2 Gate Type: MOSFET (N-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.6V Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 1.5A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 8152 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MC33151DG | ON Semiconductor |
Driver 1.5A 2-OUT High Speed Inv 8-Pin SOIC N Tube |
на замовлення 1787 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MC33151DG | ON Semiconductor |
Driver 1.5A 2-OUT High Speed Inv 8-Pin SOIC N Tube |
на замовлення 754 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MC33151DG | ON Semiconductor |
Driver 1.5A 2-OUT High Speed Inv 8-Pin SOIC N Tube |
на замовлення 754 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MC33151DG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC33151DG - MOSFET-Treiber 2fach invertierend 6.5V-18V Versorgungsspannung, 1.5Aout Spitze, 100K Ausgang, SOIC-8tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 1.5A Treiberkonfiguration: Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Invertierend MSL: - usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1.5A Versorgungsspannung, min.: 6.5V euEccn: NLR Gate-Treiber: Nicht isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 18V Eingabeverzögerung: 35ns Ausgabeverzögerung: 36ns Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 71 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
MC33151DG | onsemi |
Gate Drivers 1.5A High Speed Dual Inverting MOSFET |
на замовлення 5419 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
MC33151DG | ON Semiconductor |
Driver 1.5A 2-OUT High Speed Inv 8-Pin SOIC N Tube |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 7 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MC33151DG |
MC33151DG Микросхемы |
на замовлення 97 шт: термін постачання 4 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| MC33151DG |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Driver 1.5A 2-OUT High Speed Inv 8-Pin SOIC N Tube
Driver 1.5A 2-OUT High Speed Inv 8-Pin SOIC N Tube
на замовлення 1787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 156+ | 90.93 грн |
| 186+ | 76.31 грн |
| 206+ | 68.89 грн |
| 784+ | 61.83 грн |
| MC33151DG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET gate driver; SO8; -1.5÷1.5A; 0.8÷11.2V; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: MOSFET gate driver
Case: SO8
Output current: -1.5...1.5A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Impulse rise time: 30ns
Pulse fall time: 30ns
Supply voltage: 6.5...18V DC
Output voltage: 0.8...11.2V
Kind of package: tube
Protection: undervoltage UVP
Kind of output: inverting
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET gate driver; SO8; -1.5÷1.5A; 0.8÷11.2V; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: MOSFET gate driver
Case: SO8
Output current: -1.5...1.5A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Impulse rise time: 30ns
Pulse fall time: 30ns
Supply voltage: 6.5...18V DC
Output voltage: 0.8...11.2V
Kind of package: tube
Protection: undervoltage UVP
Kind of output: inverting
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 92.86 грн |
| 10+ | 63.01 грн |
| 25+ | 58.04 грн |
| MC33151DG |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 6.5V ~ 18V
Input Type: Inverting
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 31ns, 32ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.6V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 1.5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 6.5V ~ 18V
Input Type: Inverting
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 31ns, 32ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.6V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 1.5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 8152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 95.31 грн |
| 10+ | 67.08 грн |
| 98+ | 54.09 грн |
| 196+ | 48.35 грн |
| 294+ | 47.15 грн |
| 588+ | 45.37 грн |
| 1078+ | 43.36 грн |
| 2548+ | 41.89 грн |
| 5096+ | 40.94 грн |
| MC33151DG |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Driver 1.5A 2-OUT High Speed Inv 8-Pin SOIC N Tube
Driver 1.5A 2-OUT High Speed Inv 8-Pin SOIC N Tube
на замовлення 1787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 117.39 грн |
| 10+ | 91.14 грн |
| 25+ | 76.48 грн |
| 98+ | 66.57 грн |
| 784+ | 57.38 грн |
| MC33151DG |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Driver 1.5A 2-OUT High Speed Inv 8-Pin SOIC N Tube
Driver 1.5A 2-OUT High Speed Inv 8-Pin SOIC N Tube
на замовлення 754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 125.47 грн |
| 10+ | 94.76 грн |
| 25+ | 78.34 грн |
| 98+ | 67.68 грн |
| MC33151DG |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Driver 1.5A 2-OUT High Speed Inv 8-Pin SOIC N Tube
Driver 1.5A 2-OUT High Speed Inv 8-Pin SOIC N Tube
на замовлення 754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 113+ | 125.47 грн |
| 150+ | 94.76 грн |
| 181+ | 78.34 грн |
| 202+ | 67.68 грн |
| MC33151DG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC33151DG - MOSFET-Treiber 2fach invertierend 6.5V-18V Versorgungsspannung, 1.5Aout Spitze, 100K Ausgang, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1.5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.5A
Versorgungsspannung, min.: 6.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: 35ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - MC33151DG - MOSFET-Treiber 2fach invertierend 6.5V-18V Versorgungsspannung, 1.5Aout Spitze, 100K Ausgang, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1.5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.5A
Versorgungsspannung, min.: 6.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: 35ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MC33151DG |
![]() |
Виробник: onsemi
Gate Drivers 1.5A High Speed Dual Inverting MOSFET
Gate Drivers 1.5A High Speed Dual Inverting MOSFET
на замовлення 5419 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| MC33151DG |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Driver 1.5A 2-OUT High Speed Inv 8-Pin SOIC N Tube
Driver 1.5A 2-OUT High Speed Inv 8-Pin SOIC N Tube
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
З цим товаром купують
| 33 Ohm 5% 1W 2512 (RC2512JK-33R-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 35903
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Hitano
SMD резистори > 2512
Номінал: 33 Ом
Точність: ±5%
Pном, Вт: 1 Вт
Uном, В: 200 V (макс. 500 V при перевантаженні)
Типорозмір: 2512
SMD резистори > 2512
Номінал: 33 Ом
Точність: ±5%
Pном, Вт: 1 Вт
Uном, В: 200 V (макс. 500 V при перевантаженні)
Типорозмір: 2512
у наявності: 1523 шт
- 1480 шт - склад
- 43 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 4000 шт
- 4000 шт - очікується 29.10.2026
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 1.50 грн |
| 100+ | 1.30 грн |
| 1000+ | 1.00 грн |
| 47uF 35V ESX 6,3x11mm (low imp.) (ESX470M35B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний) Код товару: 31688
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 47 мкФ
Номін. напруга: 35 В
Серія: ESX
Тип: низькоімпедансні з довгим терміном служби
Темп. діапазон: -55...+105°С
Габарити: 6,3x11 мм
Строк служби: 5000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 47 мкФ
Номін. напруга: 35 В
Серія: ESX
Тип: низькоімпедансні з довгим терміном служби
Темп. діапазон: -55...+105°С
Габарити: 6,3x11 мм
Строк служби: 5000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
у наявності: 3331 шт
- 2904 шт - склад
- 184 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 16 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 98 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 129 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 10000 шт
- 10000 шт - очікується
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 2.50 грн |
| 11+ | 1.90 грн |
| 100+ | 1.50 грн |
| 1000+ | 1.10 грн |
| 470uF 35V ESX 10x20mm (low imp., 5000год.ин) (ESX471M35B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний) Код товару: 31683
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 470 мкФ
Номін. напруга: 35 В
Серія: ESX
Тип: низькоімпедансні з довгим терміном служби
Темп. діапазон: -55...+105°С
Габарити: 10x20 мм
Строк служби: 5000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 470 мкФ
Номін. напруга: 35 В
Серія: ESX
Тип: низькоімпедансні з довгим терміном служби
Темп. діапазон: -55...+105°С
Габарити: 10x20 мм
Строк служби: 5000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
товару немає в наявності
очікується: 3000 шт
- 3000 шт - очікується 29.10.2026
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 7.00 грн |
| 10+ | 6.20 грн |
| 100+ | 5.50 грн |
| 1000+ | 4.70 грн |
| BZX384-C15 Код товару: 26548
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: SOD-323
Напруга стабілізації Vz, В: 15 В
Струм стабілізації Izt, мА: 5 мА
Потужність Pd, Вт: 0,3 Вт
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 11,4 мВ/K
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: SOD-323
Напруга стабілізації Vz, В: 15 В
Струм стабілізації Izt, мА: 5 мА
Потужність Pd, Вт: 0,3 Вт
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 11,4 мВ/K
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 20.00 грн |
| 10+ | 2.00 грн |
| 100+ | 1.60 грн |
| 1000+ | 1.40 грн |
| BZV55-C16 Код товару: 19144
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: YJ/NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: SOD-80
Напруга стабілізації Vz, В: 16 В
Струм стабілізації Izt, мА: 5 мА
Потужність Pd, Вт: 0,4 Вт
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 12,4 мВ/K
УКТЗЕД: 8541 10 00 90
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: SOD-80
Напруга стабілізації Vz, В: 16 В
Струм стабілізації Izt, мА: 5 мА
Потужність Pd, Вт: 0,4 Вт
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 12,4 мВ/K
УКТЗЕД: 8541 10 00 90
у наявності: 1711 шт
- 1511 шт - склад
- 200 шт - РАДІОМАГ-Київ
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 2.00 грн |
| 19+ | 1.10 грн |
| 100+ | 0.80 грн |
| 1000+ | 0.60 грн |











