MC33151VDR2G ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC33151VDR2G - MOSFET-Treiber, invertierend, zweifach, 6.5V-18V Versorgung, 1.5Aout, 36ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1.5A
Treiberkonfiguration: -
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.5A
Versorgungsspannung, min.: 6.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: 35ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 57.63 грн |
| 250+ | 49.92 грн |
| 500+ | 47.90 грн |
| 1000+ | 45.46 грн |
| 2500+ | 43.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MC33151VDR2G ONSEMI
Description: ONSEMI - MC33151VDR2G - MOSFET-Treiber, invertierend, zweifach, 6.5V-18V Versorgung, 1.5Aout, 36ns Verzögerung, SOIC-8, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 1.5A, Treiberkonfiguration: -, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Invertierend, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 1.5A, Versorgungsspannung, min.: 6.5V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: Nicht isoliert, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 18V, Eingabeverzögerung: 35ns, Ausgabeverzögerung: 36ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції MC33151VDR2G за ціною від 42.53 грн до 105.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MC33151VDR2G | Виробник : onsemi |
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 6.5V ~ 18V Input Type: Inverting Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 31ns, 32ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Low-Side Number of Drivers: 2 Gate Type: MOSFET (N-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.6V Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 1.5A DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 251 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
MC33151VDR2G | Виробник : ON Semiconductor |
Driver 1.5A 2-OUT High Speed Inv 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
MC33151VDR2G | Виробник : onsemi |
Gate Drivers 1.5A High Speed Dual Inverting MOSFET |
на замовлення 10111 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MC33151VDR2G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC33151VDR2G - MOSFET-Treiber, invertierend, zweifach, 6.5V-18V Versorgung, 1.5Aout, 36ns Verzögerung, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 1.5A Treiberkonfiguration: - rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1.5A Versorgungsspannung, min.: 6.5V euEccn: NLR Gate-Treiber: Nicht isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 18V Eingabeverzögerung: 35ns Ausgabeverzögerung: 36ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 5982 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| MC33151VDR2G | Виробник : ON |
09+ |
на замовлення 12518 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
|
|
MC33151VDR2G | Виробник : ON Semiconductor |
Driver 1.5A 2-OUT High Speed Inv 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
MC33151VDR2G | Виробник : onsemi |
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 6.5V ~ 18V Input Type: Inverting Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 31ns, 32ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Low-Side Number of Drivers: 2 Gate Type: MOSFET (N-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.6V Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 1.5A DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
| MC33151VDR2G | Виробник : ONSEMI |
Category: Gates, inverters Description: IC: driver; low-side,gate driver; SOIC8; -1.5÷1.5A; Ch: 2; MOSFET Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; low-side Case: SOIC8 Output current: -1.5...1.5A Number of channels: 2 Integrated circuit features: MOSFET Mounting: SMD Operating temperature: -40...150°C Impulse rise time: 14ns Pulse fall time: 16ns Maximum output current: 1.5A Supply voltage: 6.5...18V Power dissipation: 1W |
товару немає в наявності |