MC33GD3100B3EK NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 32SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 32-BSSOP (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 3.3V
Supplier Device Package: 32-SOIC
Channel Type: Single
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Current - Peak Output (Source, Sink): 15A, 15A
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 655.08 грн |
| 10+ | 491.70 грн |
| 42+ | 440.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MC33GD3100B3EK NXP USA Inc.
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 32SOIC, Packaging: Tube, Package / Case: 32-BSSOP (0.295", 7.50mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA), Voltage - Supply: 3.3V, Supplier Device Package: 32-SOIC, Channel Type: Single, Driven Configuration: Half-Bridge, Number of Drivers: 1, Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel), Current - Peak Output (Source, Sink): 15A, 15A, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q100.
Інші пропозиції MC33GD3100B3EK за ціною від 324.20 грн до 773.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MC33GD3100B3EK | NXP Semiconductors |
Galvanically Isolated Gate Drivers IGBT & SiC GDIC for xEV traction inverters |
на замовлення 83 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| MC33GD3100B3EK |
|
Виробник: NXP Semiconductors
Galvanically Isolated Gate Drivers IGBT & SiC GDIC for xEV traction inverters
Galvanically Isolated Gate Drivers IGBT & SiC GDIC for xEV traction inverters
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 773.70 грн |
| 10+ | 588.77 грн |
| 25+ | 488.76 грн |
| 84+ | 424.06 грн |
| 252+ | 404.37 грн |
| 504+ | 369.21 грн |
| 1008+ | 324.20 грн |