Продукція > MICRO COMMERCIAL CO > MCAC120N04YHE3-TP
MCAC120N04YHE3-TP

MCAC120N04YHE3-TP Micro Commercial Co

MCAC120N04YHE3(DFN5060).pdf Виробник: Micro Commercial Co
Description: POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2144 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+65.70 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MCAC120N04YHE3-TP Micro Commercial Co

Description: POWER MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 83W (Tj), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: DFN5060, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2144 pF @ 20 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції MCAC120N04YHE3-TP за ціною від 60.64 грн до 149.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MCAC120N04YHE3-TP MCAC120N04YHE3-TP Виробник : Micro Commercial Co MCAC120N04YHE3(DFN5060).pdf Description: POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2144 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+149.61 грн
10+128.97 грн
25+121.66 грн
100+97.28 грн
250+91.34 грн
500+79.92 грн
1000+65.14 грн
2500+60.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MCAC120N04YHE3-TP Виробник : Micro Commercial Components MCAC120N04YHE3(DFN5060).pdf Power MOSFETS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.