MCAC25N10YHE3-TP

MCAC25N10YHE3-TP Micro Commercial Co


MCAC25N10YHE3(DFN5060).pdf Виробник: Micro Commercial Co
Description: MOSFET N-CH 100 25A DFN5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+25.93 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MCAC25N10YHE3-TP Micro Commercial Co

Description: MOSFET N-CH 100 25A DFN5060, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 53W (Tj), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: DFN5060, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції MCAC25N10YHE3-TP за ціною від 26.38 грн до 119.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MCAC25N10YHE3-TP MCAC25N10YHE3-TP Виробник : Micro Commercial Co MCAC25N10YHE3(DFN5060).pdf Description: MOSFET N-CH 100 25A DFN5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.08 грн
10+70.18 грн
25+58.68 грн
100+42.90 грн
250+36.91 грн
500+33.23 грн
1000+29.65 грн
2500+26.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MCAC25N10YHE3-TP MCAC25N10YHE3-TP Виробник : Micro Commercial Components (MCC) MCAC25N10YHE3_DFN5060_-3422140.pdf MOSFETs N-CHANNEL MOSFET,DFN5060
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.