MCAC85N04YHE3-TP Micro Commercial Co


MCAC85N04YHE3(DFN5060).pdf
Виробник: Micro Commercial Co
Description: POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1171 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+27.46 грн
10000+25.44 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 5000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MCAC85N04YHE3-TP Micro Commercial Co

Description: POWER MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 100W (Tj), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: DFN5060, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1171 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції MCAC85N04YHE3-TP за ціною від 25.69 грн до 68.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MCAC85N04YHE3-TP MCAC85N04YHE3-TP Micro Commercial Co MCAC85N04YHE3(DFN5060).pdf Description: POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1171 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.34 грн
10+58.63 грн
25+55.67 грн
100+42.90 грн
250+40.11 грн
500+35.44 грн
1000+27.52 грн
2500+25.69 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MCAC85N04YHE3-TP MCAC85N04YHE3(DFN5060).pdf
Виробник: Micro Commercial Co
Description: POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1171 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+68.34 грн
10+58.63 грн
25+55.67 грн
100+42.90 грн
250+40.11 грн
500+35.44 грн
1000+27.52 грн
2500+25.69 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.