MCAC8D3N10YH-TP MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
Виробник: MICRO COMMERCIAL COMPONENTSDescription: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - MCAC8D3N10YH-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 81 A, 8300 µohm, DFN5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8300µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 47.03 грн |
| 500+ | 39.14 грн |
| 1000+ | 33.37 грн |
| 5000+ | 31.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MCAC8D3N10YH-TP MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - MCAC8D3N10YH-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 81 A, 8300 µohm, DFN5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 81A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 115W, Bauform - Transistor: DFN5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8300µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції MCAC8D3N10YH-TP за ціною від 31.13 грн до 64.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MCAC8D3N10YH-TP | Виробник : MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - MCAC8D3N10YH-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 81 A, 8300 µohm, DFN5060, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 81A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: DFN5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8300µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|