Технічний опис MCB20P1200LB-TRR Littelfuse
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25.5A; SMPD-B, Semiconductor structure: double series, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 25.5A, On-state resistance: 98mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Case: SMPD-B, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 62nC, Technology: SiC, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: -5...20V, Mounting: SMD, кількість в упаковці: 200 шт.
Інші пропозиції MCB20P1200LB-TRR
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
MCB20P1200LB-TRR | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25.5A; SMPD-B Semiconductor structure: double series Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 25.5A On-state resistance: 98mΩ Type of transistor: N-MOSFET Case: SMPD-B Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 62nC Technology: SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -5...20V Mounting: SMD кількість в упаковці: 200 шт |
товару немає в наявності |
||
MCB20P1200LB-TRR | Виробник : IXYS | Description: MCB20P1200LB-TRR |
товару немає в наявності |
||
MCB20P1200LB-TRR | Виробник : IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
||
MCB20P1200LB-TRR | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25.5A; SMPD-B Semiconductor structure: double series Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 25.5A On-state resistance: 98mΩ Type of transistor: N-MOSFET Case: SMPD-B Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 62nC Technology: SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -5...20V Mounting: SMD |
товару немає в наявності |