Продукція > LITTELFUSE > MCB20P1200LB-TRR

MCB20P1200LB-TRR Littelfuse


booklet_2017-a4_r2_.pdf Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET SiC 1.2KV 9-Pin SMPD T/R
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MCB20P1200LB-TRR Littelfuse

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25.5A; SMPD-B, Semiconductor structure: double series, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 25.5A, On-state resistance: 98mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Case: SMPD-B, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 62nC, Technology: SiC, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: -5...20V, Mounting: SMD, кількість в упаковці: 200 шт.

Інші пропозиції MCB20P1200LB-TRR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MCB20P1200LB-TRR Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB492AAB14BE880D6&compId=MCB20P1200LB.pdf?ci_sign=6bfc7396ad52f2b8a4c26e9686129c71656ba3b5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25.5A; SMPD-B
Semiconductor structure: double series
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25.5A
On-state resistance: 98mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SMPD-B
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 62nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 200 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCB20P1200LB-TRR Виробник : IXYS Description: MCB20P1200LB-TRR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCB20P1200LB-TRR Виробник : IXYS media-3321953.pdf MOSFET Modules SiC MOSFET phaseleg 80mO SMPD-B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCB20P1200LB-TRR Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB492AAB14BE880D6&compId=MCB20P1200LB.pdf?ci_sign=6bfc7396ad52f2b8a4c26e9686129c71656ba3b5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25.5A; SMPD-B
Semiconductor structure: double series
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25.5A
On-state resistance: 98mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SMPD-B
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 62nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...20V
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.