MCB30P1200LB-TRR IXYS
Виробник: IXYS
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 9SMPD
Supplier Device Package: 9-SMPD-B
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 9-PowerSMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MCB30P1200LB-TRR IXYS
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 9SMPD, Supplier Device Package: 9-SMPD-B, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Technology: Silicon Carbide (SiC), Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 9-PowerSMD, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції MCB30P1200LB-TRR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| MCB30P1200LB-TRR | IXYS |
MOSFET Modules SiC MOSFET phaseleg 40mO SMPD-B |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| MCB30P1200LB-TRR |
![]() |
Виробник: IXYS
MOSFET Modules SiC MOSFET phaseleg 40mO SMPD-B
MOSFET Modules SiC MOSFET phaseleg 40mO SMPD-B
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.

