Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MCB60P1200TLB-TRR IXYS
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 62A; SMPD-B, Semiconductor structure: double series, Case: SMPD-B, Technology: SiC, Gate charge: 161nC, Polarisation: unipolar, Drain current: 62A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 1.2kV, Type of transistor: N-MOSFET, Kind of package: reel; tape, On-state resistance: 25mΩ, Mounting: SMD.
Інші пропозиції MCB60P1200TLB-TRR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| MCB60P1200TLB-TRR | IXYS | MOSFET Modules SiC MOSFET phaseleg NTC 80mO SMPD-B |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 200 шт В кошику од. на суму грн. | |
| MCB60P1200TLB-TRR | IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 62A; SMPD-B Semiconductor structure: double series Case: SMPD-B Technology: SiC Gate charge: 161nC Polarisation: unipolar Drain current: 62A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 1.2kV Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape On-state resistance: 25mΩ Mounting: SMD |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 200 шт В кошику од. на суму грн. |
| MCB60P1200TLB-TRR |
Виробник: IXYS
MOSFET Modules SiC MOSFET phaseleg NTC 80mO SMPD-B
MOSFET Modules SiC MOSFET phaseleg NTC 80mO SMPD-B
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MCB60P1200TLB-TRR |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 62A; SMPD-B
Semiconductor structure: double series
Case: SMPD-B
Technology: SiC
Gate charge: 161nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 62A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 62A; SMPD-B
Semiconductor structure: double series
Case: SMPD-B
Technology: SiC
Gate charge: 161nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 62A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику
од. на суму грн.