Технічний опис MCD132-12IO1 Littelfuse
Category: Diode - thyristor modules, Description: Module: diode-thyristor; 1.2kV; 130A; Y4-M6; Ufmax: 1.08V; bulk, Case: Y4-M6, Kind of package: bulk, Max. off-state voltage: 1.2kV, Max. load current: 300A, Max. forward voltage: 1.08V, Load current: 130A, Semiconductor structure: double series, Gate current: 150/200mA, Max. forward impulse current: 4.75kA, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Mechanical mounting: screw, Type of module: diode-thyristor, Features of semiconductor devices: Kelvin terminal, Threshold on-voltage: 0.8V, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції MCD132-12IO1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| MCD132-12io1 | Виробник : IXYS |
Category: Diode - thyristor modulesDescription: Module: diode-thyristor; 1.2kV; 130A; Y4-M6; Ufmax: 1.08V; bulk Case: Y4-M6 Kind of package: bulk Max. off-state voltage: 1.2kV Max. load current: 300A Max. forward voltage: 1.08V Load current: 130A Semiconductor structure: double series Gate current: 150/200mA Max. forward impulse current: 4.75kA Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Type of module: diode-thyristor Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Threshold on-voltage: 0.8V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
MCD132-12io1 | Виробник : IXYS |
Description: MOD THYRISTOR/DIODE 1200V Y4-M6 |
товару немає в наявності |
|
 |
MCD132-12io1 | Виробник : IXYS |
Discrete Semiconductor Modules 132 Amps 1200V |
товару немає в наявності |
|
| MCD132-12io1 | Виробник : IXYS |
Category: Diode - thyristor modules Description: Module: diode-thyristor; 1.2kV; 130A; Y4-M6; Ufmax: 1.08V; bulk Case: Y4-M6 Kind of package: bulk Max. off-state voltage: 1.2kV Max. load current: 300A Max. forward voltage: 1.08V Load current: 130A Semiconductor structure: double series Gate current: 150/200mA Max. forward impulse current: 4.75kA Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Type of module: diode-thyristor Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Threshold on-voltage: 0.8V |
товару немає в наявності |