Продукція > MICRO COMMERCIAL CO > MCG35N04HE3-TP
MCG35N04HE3-TP

MCG35N04HE3-TP Micro Commercial Co

MCG35N04HE3(DFN3333).pdf Виробник: Micro Commercial Co
Description: N-CHANNEL MOSFET, DFN3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+17.70 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MCG35N04HE3-TP Micro Commercial Co

Description: N-CHANNEL MOSFET, DFN3333, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 40W (Tj), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: DFN3333, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції MCG35N04HE3-TP за ціною від 16.15 грн до 54.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MCG35N04HE3-TP MCG35N04HE3-TP Виробник : Micro Commercial Co MCG35N04HE3(DFN3333).pdf Description: N-CHANNEL MOSFET, DFN3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.22 грн
10+40.98 грн
100+28.40 грн
500+22.27 грн
1000+18.95 грн
2000+16.88 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MCG35N04HE3-TP MCG35N04HE3-TP Виробник : Micro Commercial Components (MCC) MCG35N04HE3_DFN3333_-3132521.pdf MOSFETs
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+54.97 грн
10+47.69 грн
100+28.26 грн
500+23.63 грн
1000+20.11 грн
2500+19.01 грн
5000+16.15 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MCG35N04HE3-TP Виробник : Micro Commercial Components MCG35N04HE3(DFN3333).pdf MCG35N04HE3-TP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.