MCG35P04-TP

MCG35P04-TP MCC (Micro Commercial Components)


MCG35P04(DFN3333).pdf Виробник: MCC (Micro Commercial Components)
Description: P-CHANNEL MOSFET,DFN3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1257 pF @ 20 V
на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+11.62 грн
10000+10.30 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MCG35P04-TP MCC (Micro Commercial Components)

Description: P-CHANNEL MOSFET,DFN3333, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 38W, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: DFN3333, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1257 pF @ 20 V.

Інші пропозиції MCG35P04-TP за ціною від 11.84 грн до 53.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MCG35P04-TP MCG35P04-TP Виробник : MCC (Micro Commercial Components) MCG35P04(DFN3333).pdf Description: P-CHANNEL MOSFET,DFN3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1257 pF @ 20 V
на замовлення 13930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+53.19 грн
10+31.73 грн
100+20.40 грн
500+14.57 грн
1000+13.09 грн
2000+11.84 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.