Продукція > MICRO COMMERCIAL CO > MCG40N10YHE3-TP
MCG40N10YHE3-TP

MCG40N10YHE3-TP Micro Commercial Co

MCG40N10YHE3(DFN3333).pdf Виробник: Micro Commercial Co
Description: N-CHANNEL MOSFET, DFN3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+21.27 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MCG40N10YHE3-TP Micro Commercial Co

Description: N-CHANNEL MOSFET, DFN3333, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 43W (Tj), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: DFN3333, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 10 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції MCG40N10YHE3-TP за ціною від 18.93 грн до 64.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MCG40N10YHE3-TP MCG40N10YHE3-TP Виробник : Micro Commercial Co MCG40N10YHE3(DFN3333).pdf Description: N-CHANNEL MOSFET, DFN3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+58.92 грн
10+ 49.34 грн
100+ 34.14 грн
500+ 26.77 грн
1000+ 22.78 грн
2000+ 20.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
MCG40N10YHE3-TP MCG40N10YHE3-TP Виробник : Micro Commercial Components (MCC) MCG40N10YHE3_DFN3333_-3132367.pdf MOSFET
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+64.17 грн
10+ 55.69 грн
100+ 33.08 грн
500+ 27.63 грн
1000+ 23.45 грн
2500+ 22.25 грн
5000+ 18.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
MCG40N10YHE3-TP Виробник : Micro Commercial Components MCG40N10YHE3(DFN3333).pdf MCG40N10YHE3-TP
товар відсутній