Продукція > MCC (MICRO COMMERCIAL COMPONENTS) > MCG50N04-TP
MCG50N04-TP

MCG50N04-TP MCC (Micro Commercial Components)

MCG50N04(DFN3333).pdf
Виробник: MCC (Micro Commercial Components)
Description: N-CHANNEL MOSFET,DFN3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4645 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+24.67 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MCG50N04-TP MCC (Micro Commercial Components)

Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - MCG50N04-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.004 ohm, DFN3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 52W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: DFN3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm.

Інші пропозиції MCG50N04-TP за ціною від 24.68 грн до 99.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MCG50N04-TP MCG50N04-TP MCC (Micro Commercial Components) MCG50N04(DFN3333).pdf Description: N-CHANNEL MOSFET,DFN3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4645 pF @ 20 V
на замовлення 9891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.19 грн
10+60.29 грн
100+40.12 грн
500+29.51 грн
1000+26.89 грн
2000+24.68 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MCG50N04-TP MCG50N04-TP MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) MCG50N04(DFN3333).pdf Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - MCG50N04-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.004 ohm, DFN3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 52W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: DFN3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MCG50N04-TP MCG50N04(DFN3333).pdf
MCG50N04-TP
Виробник: MCC (Micro Commercial Components)
Description: N-CHANNEL MOSFET,DFN3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4645 pF @ 20 V
на замовлення 9891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+99.19 грн
10+60.29 грн
100+40.12 грн
500+29.51 грн
1000+26.89 грн
2000+24.68 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MCG50N04-TP MCG50N04(DFN3333).pdf
MCG50N04-TP
Виробник: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC)
Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - MCG50N04-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.004 ohm, DFN3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 52W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: DFN3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.