
MCG50P03B-TP Micro Commercial Co

Description: P-CHANNEL MOSFET,PDFN3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PDFN3333
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1745 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
5000+ | 29.15 грн |
10000+ | 26.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MCG50P03B-TP Micro Commercial Co
Description: P-CHANNEL MOSFET,PDFN3333, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 56W (Tj), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PDFN3333, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1745 pF @ 15 V.
Інші пропозиції MCG50P03B-TP за ціною від 29.14 грн до 116.70 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MCG50P03B-TP | Виробник : Micro Commercial Components (MCC) |
![]() |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MCG50P03B-TP | Виробник : Micro Commercial Co |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 56W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PDFN3333 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1745 pF @ 15 V |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|