MCGD30P02-TP

MCGD30P02-TP MCC (Micro Commercial Components)


MCGD30P02(DFN3333-D).pdf Виробник: MCC (Micro Commercial Components)
Description: MOSFET 2P-CH 20V 30A DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 21W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2992pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 15A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-D
на замовлення 9699 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+80.13 грн
10+48.45 грн
100+31.78 грн
500+23.11 грн
1000+20.94 грн
2000+19.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MCGD30P02-TP MCC (Micro Commercial Components)

Description: MOSFET 2P-CH 20V 30A DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 21W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2992pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 15A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72.8nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: DFN3333-D.

Інші пропозиції MCGD30P02-TP

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MCGD30P02-TP Виробник : Micro Commercial Components mcgd30p02dfn3333-d.pdf P-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCGD30P02-TP MCGD30P02-TP Виробник : MCC (Micro Commercial Components) MCGD30P02(DFN3333-D).pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 30A DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 21W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2992pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 15A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-D
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.