MCGWF45P04HE3-TP

MCGWF45P04HE3-TP MCC (Micro Commercial Components)


MCGWF45P04HE3(DFN3333-8(SWF)).pdf Виробник: MCC (Micro Commercial Components)
Description: POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 41.7W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3136 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+59.59 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MCGWF45P04HE3-TP MCC (Micro Commercial Components)

Description: POWER MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 41.7W (Tj), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: DFN3333-8, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3136 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції MCGWF45P04HE3-TP за ціною від 65.91 грн до 200.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MCGWF45P04HE3-TP MCGWF45P04HE3-TP Виробник : MCC (Micro Commercial Components) MCGWF45P04HE3(DFN3333-8(SWF)).pdf Description: POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 41.7W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3136 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+200.03 грн
10+124.77 грн
100+85.83 грн
500+65.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MCGWF45P04HE3-TP MCGWF45P04HE3-TP Виробник : Micro Commercial Components (MCC) MCGWF45P04HE3_DFN3333_8_SWF__-3422160.pdf MOSFETs P-CHANNEL MOSFET,DFN3333-8(SWF)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.