Продукція > ONSEMI > MCH6001-TL-E
MCH6001-TL-E

MCH6001-TL-E ONSEMI

ena1601-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MCH6001-TL-E - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 8 V, 16 GHz, 600 mW, 150 mA, SOT-363
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 16GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+36.48 грн
500+26.10 грн
1000+21.81 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MCH6001-TL-E ONSEMI

Description: ONSEMI - MCH6001-TL-E - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 8 V, 16 GHz, 600 mW, 150 mA, SOT-363, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 600mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Dauerkollektorstrom: 150mA, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 8V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 16GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції MCH6001-TL-E за ціною від 16.82 грн до 86.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
MCH6001-TL-E MCH6001-TL-E onsemi ena1601-d.pdf Description: RF TRANS 2 NPN 8V 16GHZ 6-MCPH
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
Gain: 16dB
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-MCPH
Frequency - Transition: 16GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 8V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 600mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.01 грн
10+39.49 грн
100+25.73 грн
500+18.61 грн
1000+16.82 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MCH6001-TL-E MCH6001-TL-E onsemi ena1601-d.pdf RF Bipolar Transistors BIP N+N 150MA 8V FT=16G
на замовлення 7007 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.73 грн
10+44.62 грн
100+25.27 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MCH6001-TL-E MCH6001-TL-E ONSEMI 2907494.pdf Description: ONSEMI - MCH6001-TL-E - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 8 V, 16 GHz, 600 mW, 150 mA, SOT-363
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 600mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 16GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+86.18 грн
16+53.40 грн
100+34.79 грн
500+24.90 грн
1000+20.78 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MCH6001-TL-E ONN ena1601-d.pdf
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MCH6001-TL-E ena1601-d.pdf
MCH6001-TL-E
Виробник: onsemi
Description: RF TRANS 2 NPN 8V 16GHZ 6-MCPH
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
Gain: 16dB
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-MCPH
Frequency - Transition: 16GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 8V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 600mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+66.01 грн
10+39.49 грн
100+25.73 грн
500+18.61 грн
1000+16.82 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MCH6001-TL-E ena1601-d.pdf
MCH6001-TL-E
Виробник: onsemi
RF Bipolar Transistors BIP N+N 150MA 8V FT=16G
на замовлення 7007 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+72.73 грн
10+44.62 грн
100+25.27 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MCH6001-TL-E 2907494.pdf
MCH6001-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MCH6001-TL-E - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 8 V, 16 GHz, 600 mW, 150 mA, SOT-363
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 600mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 16GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+86.18 грн
16+53.40 грн
100+34.79 грн
500+24.90 грн
1000+20.78 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MCH6001-TL-E ena1601-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.