Продукція > ONSEMI > MCH6331-TL-H

MCH6331-TL-H onsemi


ONSM-S-A0001341855-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: onsemi
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Supplier Device Package: 6-MCPH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 10 V
на замовлення 1117011 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1776+12.76 грн
Мінімальне замовлення: 1776 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MCH6331-TL-H onsemi

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: 6-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Supplier Device Package: 6-MCPH, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 10 V.

Інші пропозиції MCH6331-TL-H

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
MCH6331-TL-H ON Semiconductor ONSM-S-A0001341855-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 62 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MCH6331-TL-H ONSM-S-A0001341855-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 62 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.