Продукція > ONSEMI > MCH6351-TL-W
MCH6351-TL-W

MCH6351-TL-W onsemi

mch6351-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 12V 9A 6MCPH
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-MCPH
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.9mOhm @ 4.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+43.10 грн
10+35.65 грн
100+24.68 грн
500+19.35 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MCH6351-TL-W onsemi

Description: ONSEMI - MCH6351-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 9 A, 0.014 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V, Verlustleistung: 1.5W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm.

Інші пропозиції MCH6351-TL-W

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MCH6351-TL-W MCH6351-TL-W onsemi ENA2198_D-2311714.pdf MOSFETs PCH 1.8V DRIVE SERIES
на замовлення 1491 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MCH6351-TL-W MCH6351-TL-W ONSEMI 2907458.pdf Description: ONSEMI - MCH6351-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 9 A, 0.014 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 2704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MCH6351-TL-W MCH6351-TL-W ONSEMI 2907458.pdf Description: ONSEMI - MCH6351-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 9 A, 0.014 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 2704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MCH6351-TL-W ENA2198_D-2311714.pdf
MCH6351-TL-W
Виробник: onsemi
MOSFETs PCH 1.8V DRIVE SERIES
на замовлення 1491 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MCH6351-TL-W 2907458.pdf
MCH6351-TL-W
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MCH6351-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 9 A, 0.014 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 2704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MCH6351-TL-W 2907458.pdf
MCH6351-TL-W
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MCH6351-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 9 A, 0.014 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 2704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.