MCH6351-TL-W ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - MCH6351-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 9 A, 0.014 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 25.36 грн |
| 500+ | 17.02 грн |
| 1000+ | 15.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MCH6351-TL-W ONSEMI
Description: ONSEMI - MCH6351-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 9 A, 0.014 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MCH6351-TL-W за ціною від 15.64 грн до 57.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MCH6351-TL-W | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 12V 9A 6MCPH Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.9mOhm @ 4.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Supplier Device Package: 6-MCPH Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 6 V |
на замовлення 897 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MCH6351-TL-W | Виробник : onsemi |
MOSFETs PCH 1.8V DRIVE SERIES |
на замовлення 1491 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MCH6351-TL-W | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MCH6351-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 9 A, 0.014 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2754 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MCH6351-TL-W | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 12V 9A 6-Pin MCPH T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
MCH6351-TL-W | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 12V 9A 6MCPH Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.9mOhm @ 4.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Supplier Device Package: 6-MCPH Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 6 V |
товару немає в наявності |