Продукція > ONSEMI > MCH6431-TL-H

MCH6431-TL-H onsemi

Name: MCH6431-TL-H
Brand: onsemi
SKU: 12641385-3
Price: 27214.11 UAH
Availability: InStock

Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 5A 6MCPH
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Supplier Device Package: 6-MCPH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 10 V

на замовлення 2057 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2057+	13.23 грн

Мінімальне замовлення: 2057

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис MCH6431-TL-H onsemi

Description: MOSFET N-CH 30V 5A 6MCPH, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Supplier Device Package: 6-MCPH, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 10 V.

Інші пропозиції MCH6431-TL-H

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
MCH6431-TL-H	Виробник : ON Semiconductor		на замовлення 2668 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
MCH6431-TL-H	Виробник : ON Semiconductor	Trans MOSFET N-CH Si 30V 5A 6-Pin MCPH T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
MCH6431-TL-H	Виробник : onsemi	Description: MOSFET N-CH 30V 5A 6MCPH Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Supplier Device Package: 6-MCPH Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 10 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.