Продукція > ONSEMI > MCH6604-TL-E

MCH6604-TL-E onsemi

Name: MCH6604-TL-E
Brand: onsemi
SKU: 12231793-3
Price: 21075.60 UAH
Availability: InStock

Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.25A 6MCPH
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6.6pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8Ohm @ 50mA, 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.57nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Supplier Device Package: 6-MCPH

на замовлення 108000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1820+	11.58 грн

Мінімальне замовлення: 1820

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис MCH6604-TL-E onsemi

Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.25A 6MCPH, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 800mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 50V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6.6pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8Ohm @ 50mA, 4V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.57nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Supplier Device Package: 6-MCPH.

Інші пропозиції MCH6604-TL-E

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
MCH6604-TL-E	Виробник : ON Semiconductor	MOSFET NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES	на замовлення 5503 шт: термін постачання 21-30 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
MCH6604-TL-E	Виробник : ON Semiconductor		на замовлення 2760 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
MCH6604-TL-E	Виробник : onsemi	Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.25A 6MCPH Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 800mW Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6.6pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8Ohm @ 50mA, 4V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.57nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Supplier Device Package: 6-MCPH	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.