Продукція > ONSEMI > MCH6660-TL-H
MCH6660-TL-H

MCH6660-TL-H onsemi

mch6660-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 20V 2A/1.5A 6MCPH
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A, 1.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 128pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 136mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Supplier Device Package: 6-MCPH
на замовлення 1387754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1776+12.15 грн
Мінімальне замовлення: 1776
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MCH6660-TL-H onsemi

Description: ONSEMI - MCH6660-TL-H - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 20 V, -20 V, 2 A, -1.5 A, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -20V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.205ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 800mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: MCPH, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.105ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 800mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції MCH6660-TL-H за ціною від 14.04 грн до 14.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MCH6660-TL-H Виробник : Aptina Imaging mch6660-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 2A/1.5A 6-Pin MCPH T/R
на замовлення 1688948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2173+14.04 грн
Мінімальне замовлення: 2173
В кошику  од. на суму  грн.
MCH6660-TL-H Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0000117445-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MCH6660-TL-H - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 20 V, -20 V, 2 A, -1.5 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.205ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 800mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: MCPH
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.105ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 800mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1387754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+14.86 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
MCH6660-TL-H (транзистор)
Код товару: 113237
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCH6660-TL-H MCH6660-TL-H Виробник : onsemi mch6660-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 2A/1.5A 6MCPH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A, 1.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 128pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 136mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Supplier Device Package: 6-MCPH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCH6660-TL-H MCH6660-TL-H Виробник : onsemi MCH6660_D-2315965.pdf MOSFETs PCH+NCH 1.8V DRIVE SERIES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.