MCH6660-TL-H (транзистор)
Код товару: 113237
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції MCH6660-TL-H (транзистор) за ціною від 12.12 грн до 16.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MCH6660-TL-H | onsemi |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 2A/1.5A 6MCPHPackaging: Bulk Package / Case: 6-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 800mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A, 1.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 128pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 136mOhm @ 1A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Supplier Device Package: 6-MCPH |
на замовлення 1387754 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
| MCH6660-TL-H | Aptina Imaging |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 2A/1.5A 6-Pin MCPH T/R |
на замовлення 1688948 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
| MCH6660-TL-H | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MCH6660-TL-H - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 20 V, -20 V, 2 A, -1.5 AtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.205ohm Verlustleistung, p-Kanal: 800mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: MCPH Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.105ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 800mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 1387754 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. |
| MCH6660-TL-H |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 20V 2A/1.5A 6MCPH
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A, 1.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 128pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 136mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Supplier Device Package: 6-MCPH
Description: MOSFET N/P-CH 20V 2A/1.5A 6MCPH
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A, 1.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 128pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 136mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Supplier Device Package: 6-MCPH
на замовлення 1387754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1776+ | 12.12 грн |
| MCH6660-TL-H |
![]() |
Виробник: Aptina Imaging
Trans MOSFET N/P-CH 20V 2A/1.5A 6-Pin MCPH T/R
Trans MOSFET N/P-CH 20V 2A/1.5A 6-Pin MCPH T/R
на замовлення 1688948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2173+ | 16.85 грн |
| MCH6660-TL-H |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MCH6660-TL-H - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 20 V, -20 V, 2 A, -1.5 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.205ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 800mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: MCPH
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.105ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 800mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - MCH6660-TL-H - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 20 V, -20 V, 2 A, -1.5 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.205ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 800mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: MCPH
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.105ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 800mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1387754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)



