Продукція > LITTELFUSE > MCNA120UI2200TED

MCNA120UI2200TED Littelfuse

Name: MCNA120UI2200TED
Brand: IXYS
SKU: 740-4
Price: 65616.36 UAH
Availability: BackOrder

Виробник: Littelfuse
Three Phase Rectifier Bridge and Half-Controlled (High-Side) with Brake Unit 22-Pin E2-Pack Box

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис MCNA120UI2200TED Littelfuse

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.7kV; 190W, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 80A, Pulsed collector current: 150A, Power dissipation: 190W, Max. off-state voltage: 1.7kV, Topology: 3-phase diode-thyristor bridge; boost chopper; NTC thermistor, Semiconductor structure: diode/transistor, Case: E2-Pack, Application: Inverter, Type of semiconductor module: IGBT, Electrical mounting: Press-in PCB, Mechanical mounting: screw, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції MCNA120UI2200TED

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
MCNA120UI2200TED	Виробник : IXYS	Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.7kV; 190W Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 80A Pulsed collector current: 150A Power dissipation: 190W Max. off-state voltage: 1.7kV Topology: 3-phase diode-thyristor bridge; boost chopper; NTC thermistor Semiconductor structure: diode/transistor Case: E2-Pack Application: Inverter Type of semiconductor module: IGBT Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
MCNA120UI2200TED	Виробник : IXYS	Description: MOD THYRISTOR TRI 22KV TO-240	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
MCNA120UI2200TED	Виробник : IXYS	Bridge Rectifiers High Voltage Thyristor Module	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
MCNA120UI2200TED	Виробник : IXYS	Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.7kV; 190W Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 80A Pulsed collector current: 150A Power dissipation: 190W Max. off-state voltage: 1.7kV Topology: 3-phase diode-thyristor bridge; boost chopper; NTC thermistor Semiconductor structure: diode/transistor Case: E2-Pack Application: Inverter Type of semiconductor module: IGBT Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.