MCNA120UI2200TED Littelfuse
Виробник: LittelfuseThree Phase Rectifier Bridge and Half-Controlled (High-Side) with Brake Unit 22-Pin E2-Pack Box
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MCNA120UI2200TED Littelfuse
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.7kV; 190W, Mechanical mounting: screw, Type of semiconductor module: IGBT, Application: Inverter, Case: E2-Pack, Semiconductor structure: diode/transistor, Topology: 3-phase diode-thyristor bridge; boost chopper; NTC thermistor, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 80A, Pulsed collector current: 150A, Power dissipation: 190W, Max. off-state voltage: 1.7kV, Electrical mounting: Press-in PCB.
Інші пропозиції MCNA120UI2200TED
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| MCNA120UI2200TED | Виробник : IXYS |
Description: MOD THYRISTOR TRI 22KV TO-240 |
товару немає в наявності |
||
|
|
MCNA120UI2200TED | Виробник : IXYS |
Bridge Rectifiers High Voltage Thyristor Module |
товару немає в наявності |
|
| MCNA120UI2200TED | Виробник : IXYS |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.7kV; 190W Mechanical mounting: screw Type of semiconductor module: IGBT Application: Inverter Case: E2-Pack Semiconductor structure: diode/transistor Topology: 3-phase diode-thyristor bridge; boost chopper; NTC thermistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 80A Pulsed collector current: 150A Power dissipation: 190W Max. off-state voltage: 1.7kV Electrical mounting: Press-in PCB |
товару немає в наявності |