
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 180.66 грн |
25+ | 148.54 грн |
100+ | 115.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MCP14E9-E/SN Microchip Technology
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC, Packaging: Tube, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Voltage - Supply: 4.5V ~ 18V, Input Type: Inverting, Supplier Device Package: 8-SOIC, Rise / Fall Time (Typ): 14ns, 17ns, Channel Type: Independent, Driven Configuration: Low-Side, Number of Drivers: 2, Gate Type: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V, Current - Peak Output (Source, Sink): 3A, 3A, Part Status: Active, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції MCP14E9-E/SN
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
MCP14E9-E/SN | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
MCP14E9-E/SN | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|
MCP14E9-E/SN | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
||
![]() |
MCP14E9-E/SN | Виробник : Microchip Technology |
![]() Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 4.5V ~ 18V Input Type: Inverting Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 14ns, 17ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Low-Side Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V Current - Peak Output (Source, Sink): 3A, 3A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |