
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2500+ | 36.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MCU110N06YB-TP Micro Commercial Components
Description: N-CHANNEL MOSFET,DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 55A, 10V, Power Dissipation (Max): 80W, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 30 V.
Інші пропозиції MCU110N06YB-TP за ціною від 36.60 грн до 178.26 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MCU110N06YB-TP | Виробник : Micro Commercial Co |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 55A, 10V Power Dissipation (Max): 80W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 30 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
MCU110N06YB-TP | Виробник : Micro Commercial Co |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 55A, 10V Power Dissipation (Max): 80W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 30 V |
на замовлення 7281 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
MCU110N06YB-TP | Виробник : Micro Commercial Components |
![]() |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
MCU110N06YB-TP | Виробник : Micro Commercial Components |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
![]() |
MCU110N06YB-TP | Виробник : Micro Commercial Components |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
MCU110N06YB-TP | Виробник : Micro Commercial Components (MCC) |
![]() |
товару немає в наявності |