MCU50N03-TP

MCU50N03-TP Micro Commercial Co


Виробник: Micro Commercial Co
Description: MOSFET N-CH ENH FET 30VDS 50A 20
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MCU50N03-TP Micro Commercial Co

Description: MOSFET N-CH ENH FET 30VDS 50A 20, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 60W, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V.

Інші пропозиції MCU50N03-TP

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MCU50N03-TP MCU50N03-TP Виробник : Micro Commercial Components (MCC) MCU50N03_DPAK_-2510744.pdf MOSFET N-Ch Enh FET 30Vds 50A 20Vgs 60W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.